一种半导体结构的制备方法

本发明公开一种半导体结构的制备方法，包括：提供一衬底，在衬底上依次形成半导体层、功函数层和功能结构层；对功能结构层和功函数层进行刻蚀并停止于半导体层以形成间隔设置的第一凹槽和第二凹槽，对第一凹槽和第二凹槽之间的功能结构层进行刻蚀并停止于功函数层以形成第三凹槽；在第一凹槽和第二凹槽内沉积导电材料以分别形成源极和漏极，在第三凹槽沉积栅介质层和栅极堆叠结构以形成栅极，通过控制第一凹槽与第二凹槽之间的间隔，从而可以调整第三凹槽的宽度，进而提升半导体结构的集成度。