隧道磁阻电流传感器的封装结构和隧道磁阻电流传感器的封装结构中导热绝缘层的制备方法

本申请涉及一种隧道磁阻电流传感器的封装结构和隧道磁阻电流传感器的封装结构中导热绝缘层的制备方法，涉及传感器封装技术领域。本申请能够提高隧道磁阻电流传感器的散热能力以及环境适应性。该结构从外到内包括：抗冲击保护层、防潮密封层、导热绝缘层、微通道散热结构以及隧道磁阻芯片；隧道磁阻芯片下方设置铜制散热基板，铜制散热基板与隧道磁阻芯片之间通过导热硅脂填充，导热硅脂的导热系数大于3W/(<Image he="47" wi="138" file="ZY_1.GIF" imgContent="drawing" imgFormat="GIF" orientation="portrait" inline="yes"/>)，铜制散热基板与外壳微通道通过导热胶连接，形成芯片‑导热硅脂‑散热基板‑导热胶‑外壳微通道的散热路径；其中，抗冲击保护层选用聚酰亚胺材料，防潮密封层选用环氧树脂材料，导热绝缘层选用氮化铝‑铝陶瓷复合材料。