一种隧道磁阻传感器制备方法

本申请涉及一种隧道磁阻传感器制备方法。所述方法包括：在衬底上外延生长水溶性牺牲层；在水溶性牺牲层上依次外延生长下电极层、势垒层和上电极层，得到位于水溶性牺牲层上的异质结；其中，下电极层和上电极层为铁磁性钙钛矿氧化物层，势垒层为绝缘性钙钛矿氧化物层；将异质结加工成指定结构，基于指定结构的形状各向异性确定上电极层和/或下电极层的磁化方向；对加工后异质结进行电极制备，得到完整异质结；去除水溶性牺牲层，得到从衬底上剥离的完整异质结；将完整异质结转移至目标基板上，并对完整异质结进行退火处理，得到制备完成的传感器芯片。采用本方法能够扩大隧道磁阻传感器的适用场景范围，以及提高性能稳定性，以提高检测效果。