半导体结构及其制备方法、磁隧道结传感器

本发明涉及一种半导体结构及其制备方法、磁隧道结传感器。半导体结构包括衬底，及位于衬底上的缓冲层，固磁层，隧道势垒层，自由层及保护层；固磁层包括层叠的反铁磁钉扎层及参考层，反铁磁钉扎层位于缓冲层的顶面，参考层的磁化方向被反铁磁钉扎层钉扎；隧道势垒层位于参考层的顶面；自由层位于隧道势垒层的顶面，自由层沿垂直衬底方向的厚度沿预设方向连续平滑变化，且自由层的厚度值分布符合预设梯度函数，预设方向与参考层被钉扎的磁化方向具有预设夹角；保护层位于自由层的顶面。能够在单芯片的半导体器件中实现多量程或连续宽量程检测，并具有高灵敏度。