一种单片光电集成芯片结构及其制造方法

本申请涉及单片光电集成技术领域，公开了一种单片光电集成芯片结构及其制造方法，其结构包括半绝缘砷化镓衬底，半绝缘砷化镓衬底上设置量子阱发光二极管区域，量子阱发光二极管区域由下到上依次设置有N型重掺杂砷化镓电极层、多量子阱结构和P型重掺杂砷化镓电极层；多量子阱结构包括由下到上依次设置的N型AlGaAs下包层、GaAs/AlGaAs多量子阱有源层和P型AlGaAs上包层；半绝缘砷化镓衬底上还预留有锗光电探测器区域，锗光电探测器区域选区外延有P型锗电极层和本征锗吸收层。本申请具有提高器件的传输速率与集成度，降低系统复杂度与成本的效果。