一种SiC MOSFET直流功率循环加速寿命测试系统及方法

本申请提供一种SiC MOSFET直流功率循环加速寿命测试系统及方法，包括直流电源、主功率电路、导通压降测量电路和控制器；主功率电路包括N个并联的器件子电路，每个器件子电路中设置一个SiC MOSFET；导通压降测量电路包括N个测量子电路，分别与N个器件子电路的SiCMOSFET连接；测量子电路用于在预设的循环周期内，测量所连接的器件子电路导通时的SiC MOSFET的导通压降，关断时SiC MOSFET的体二极管压降；控制器用于控制N个器件子电路依次在通电时间内导通且仅有一个器件子电路导通；获取每个测量子电路采集的预设循环周期内的SiCMOSFET的体二极管压降序列，由此确定每个器件子电路的SiC MOSFET的结温序列。本申请能够同时实现多个不同工况的SiC MOSFET的加速寿命试验，提升了试验效率。