半导体器件、LDMOS结构及其制备方法

本发明提供了一种半导体器件、LDMOS结构及其制备方法。所述LDMOS结构包括依次层叠的基底层、第一外延层及第二外延层，所述第二外延层中设有体区和漂移区；所述第一外延层中设有辅助耗尽层，所述辅助耗尽层位于所述漂移区的下方，所述辅助耗尽层的导电类型与所述漂移区的导电类型相反；所述基底层中设有N型埋层，所述N型埋层位于所述体区和所述漂移区的下方。本申请可提高LDMOS结构的性能。