一种掺杂氧化镍掩埋型α粒子探测器及制备方法

本发明属于半导体器件制备技术领域，涉及一种掺杂氧化镍掩埋型α粒子探测器及制备方法。该掺杂氧化镍掩埋型α粒子探测器，包括氧化铝单晶、锌掺杂弱P型氧化镍掩埋区域、强P型氧化镍掩埋区域、低阻氧化锌区域、绝缘层、收集电极和栅电极。本发明设计了掺杂氧化镍掩埋型α粒子探测器结构，对增益电流通道进行控制，并提出了一种有效而简便的工艺制造技术，解决了具有内增益特性的氧化物α粒子探测器制备难题，实现新型掺杂氧化镍掩埋结构α粒子探测器的研制。