基于液氮温控的碳化硅晶锭激光剥离方法及系统

本发明涉及基于液氮温控的碳化硅晶锭激光剥离方法及系统，属于晶体加工技术领域，包括以下步骤：通过单脉冲激光对碳化硅晶锭的内部形成轻微分裂的改质层；通过液氮喷头对改质层进行冷冻处理，在改质层上部形成冷区，改质层下部为热区；冷区与热区之间存在温差，碳化硅晶锭在热膨胀系数差异下产生应力差，改质层沿分裂处断裂，实现碳化硅晶锭的剥离。本发明通过单脉冲激光预处理形成改质层，结合液氮喷射与加热载物台构建温差，利用热膨胀系数差异产生应力实现碳化硅晶锭剥离，解决了现有碳化硅晶锭分离技术损伤层厚、工艺复杂、成本高的问题。