在审

利用偏压辅助脉冲激光沉积技术制备氧化物薄膜的方法、氧化物薄膜

陈迪、蔡洪东、林元华、刘鹏
清华大学

摘要

本申请公开了利用偏压辅助脉冲激光沉积技术制备氧化物薄膜的方法、氧化物薄膜。采用脉冲激光沉积方法在衬底上沉积氧化物薄膜,在沉积过程中,所述衬底连接电压源,通过所述电压源施加偏压△E,以调控氧化物薄膜中的有效氧分压,△E不为0。由此,在采用PLD方法沉积氧化物薄膜过程中施加偏压,可以动态调控薄膜生长环境,调节氧化物薄膜中的有效氧分压,从而实现高/低氧化学势需求薄膜的精准合成。

暂无引用专利