一种碳化硅MOSFET的复合老化特征表征方法和装置

本发明公开了一种碳化硅MOSFET的复合老化特征表征方法和装置，通过阈值电压漂移和电流上升时间静动态特征融合进行栅氧老化评估，基于碳化硅MOSFET的导通电阻的变化百分比进行体二极管双极退化评估，再通过体二极管压降或不同栅压下的导通电阻的变化百分比‑导通电流曲线偏移量对比，判断是否发生封装老化，实现了体二极管双极退化和封装老化的精准解耦，实现了栅氧老化、体二极管双极退化和封装老化的精准分离，解决了现有的老化特性解耦表征未考虑体二极管双极退化的影响，当器件发生体二极管双极退化时，难以判断是否同时发生了封装退化，影响碳化硅MOSFET的老化特征表征准确性的技术问题。