一种MoS@聚芳醚酮阴离子交换膜及其制备方法及其应用

本发明涉及阴离子交换膜技术领域，公开了一种MoS<Sub>2</Sub>@聚芳醚酮阴离子交换膜及其制备方法及其应用；阴离子交换膜的制备方法为，S1制备薄层MoS<Sub>2</Sub>；S2薄层MoS<Sub>2</Sub>与聚芳醚酮聚合物阴离子交换膜经分散得到铸膜液，铸膜液流延成膜。本发明通过在在聚合物基质中掺入MoS<Sub>2</Sub>，MoS<Sub>2</Sub>独特的层状结构不仅可以优化离子传输通道，提高离子电导率，其自身强大的化学稳定性还有助于实现高离子电导率与稳定性之间的相对平衡，同时得到的阴离子交换膜具有高电导率、低吸水溶胀率以及良好的机械强度。