一种基于二硫化钼的晶体管PUF制备方法

1.一种基于二硫化钼的晶体管PUF制备方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1，对氧化硅衬底表面进行预处理，清除其表面的自然有机物及其他杂质；步骤2，基于液液界面自组装，使二硫化钼墨水在氧化硅衬底上形成连续且不均匀的二硫化钼薄膜，具体包括：步骤201，将氧化硅衬底置于定制的托举架后，将托举架放入玻璃培养皿，随后加入去离子水和正己烷，待玻璃培养皿中出现明显的分层界面时，第一次采用移液管在玻璃培养皿缓慢连续滴加二硫化钼墨水，待形成稳定薄膜后，提取托举架使二硫化钼薄膜平铺在氧化硅衬底上，将氧化硅衬底放置于加热台上进行加热处理，确保液体完全蒸发，从而在样品表面形成第一层二硫化钼薄膜，第一次在玻璃培养皿滴加二硫化钼墨水时，滴加在玻璃培养皿的中间位置；步骤202，将步骤201得到的样品再次置于托举架后，将托举架放入玻璃培养皿，随后加入去离子水和正己烷，待玻璃培养皿中出现明显的分层界面时，第二次采用移液管在玻璃培养皿缓慢连续滴加二硫化钼墨水，待形成稳定薄膜后，提取托举架使二硫化钼薄膜平铺在样品上，将样品放置于加热台上进行加热处理，确保液体完全蒸发，从而在样品表面形成第二层二硫化钼薄膜，第二次在玻璃培养皿滴加二硫化钼墨水时，滴加在玻璃培养皿的左上角位置；步骤203，将步骤202得到的样品再次置于托举架后，将托举架放入玻璃培养皿，随后加入去离子水和正己烷，待玻璃培养皿中出现明显的分层界面时，第三次采用移液管在玻璃培养皿缓慢连续滴加二硫化钼墨水，待形成稳定薄膜后，提取托举架使二硫化钼薄膜平铺在样品上，将样品放置于加热台上进行加热处理，确保液体完全蒸发，从而在样品表面形成第三层二硫化钼薄膜，第三次在玻璃培养皿滴加二硫化钼墨水时，滴加在玻璃培养皿的右下角位置；步骤3，在二硫化钼薄膜表面进行图案化处理，得到源漏电极的图案；步骤4，在覆盖二硫化钼薄膜的氧化硅衬底上沉积钛薄膜和钯薄膜，完成源漏电极的图案化，得到二硫化钼晶体管PUF阵列。 2.根据权利要求1所述的基于二硫化钼的晶体管PUF制备方法，其特征在于，步骤3中，采用电子束光刻、紫外光刻、极紫外光刻或纳米压印进行图案化处理。 3.根据权利要求1所述的基于二硫化钼的晶体管PUF制备方法，其特征在于，步骤4中，在覆盖二硫化钼薄膜的氧化硅衬底上沉积钛薄膜和钯薄膜的过程为：先以0.01nm/s的速率沉积10nm的金属钛，再以0.05nm/s的速率沉积50nm的金属钯。