1.一种中子产生装置，包括：电子加速器（10），被配置为发射电子束流（eb）；光子产生靶（20），被配置为与所述电子束流（eb）相互作用而产生轫致辐射光子（bp）；中子产生靶（30），被配置为与所述轫致辐射光子（bp）相互作用而产生中子（n）；和中子束流出口（60），与所述中子产生靶（30）邻接设置，被配置为沿第二方向（dr2）输出所述中子产生靶（30）产生的中子束流；其中，所述中子产生靶（30）沿第一方向（dr1）与所述光子产生靶（20）间隔设置，所述第一方向（dr1）为所述电子束流（eb）的发射方向，所述第二方向（dr2）与所述中子束流出口（60）的延伸方向平行，并与所述第一方向（dr1）之间的第一夹角（α1）呈直角或钝角。
2.根据权利要求1所述的中子产生装置，其中，所述中子产生靶（30）邻近所述光子产生靶（20）一侧的表面包括第一光子接收区域（pr），所述第一光子接收区域（pr）用于接收所述光子产生靶（20）产生的相对于所述第一方向（dr1）扩张预设角度θ范围内的轫致辐射光子（bp），所述第一光子接收区域（pr）接收的轫致辐射光子（bp）占所述光子产生靶（20）产生的轫致辐射光子（bp）总数的比值为预设百分比。
3.根据权利要求2所述的中子产生装置，其中，对应于所述预设百分比的预设角度θ小于等于对应于80%的预设角度θ 80 ，大于等于对应于60%的预设角度θ 60 。
4.根据权利要求2或3所述的中子产生装置，其中，对应于预设百分比80%的预设角度θ 80 满足以下公式： ；其中，θ 80 为收集所述光子产生靶（20）产生的轫致辐射光子（bp）总数的80%所需的预设角度θ，单位为度；E e 为所述电子加速器（10）发出的用于轰击所述光子产生靶（20）的电子束流（eb）的能量，单位为MeV。
5. 根据权利要求4所述的中子产生装置，其中，E e 取值为7~30 MeV。
6.根据权利要求2或3所述的中子产生装置，其中，对应于预设百分比60%的预设角度θ 60 满足以下公式： ；其中，θ 60 为收集所述光子产生靶（20）产生的轫致辐射光子（bp）总数的60%所需的预设角度θ，单位为度；E e 为所述电子加速器（10）发出的用于轰击所述光子产生靶（20）的电子束流（eb）的能量，单位为MeV。
7. 根据权利要求6所述的中子产生装置，其中，E e 取值为7~30 MeV。
8.根据权利要求2所述的中子产生装置，还包括：光子屏蔽结构（40），设置在所述光子产生靶（20）的侧方，被配置为对所述光子产生靶（20）产生的相对于所述第一方向（dr1）扩张预设角度θ范围以外的至少部分轫致辐射光子（bp）进行屏蔽。
9.根据权利要求2所述的中子产生装置，其中，对应于预设百分比的预设角度θ满足：D≥2d·tgθ；其中，D为所述中子产生靶（30）在所述第一方向（dr1）上的横截面的最大宽度，d为所述中子产生靶（30）沿所述第一方向（dr1）从所述光子产生靶（20）的中心到所述中子产生靶（30）的距离。
10.根据权利要求9所述的中子产生装置，其中，d取值为2~10cm。
11.根据权利要求1所述的中子产生装置，还包括：中子慢化结构（50），具有容纳所述中子产生靶（30）的容纳腔；其中，所述光子产生靶（20）位于所述中子慢化结构（50）的外侧。
12.根据权利要求11所述的中子产生装置，还包括：光子屏蔽结构（40），具有沿第一方向（dr1）贯通的第一内腔（c1），所述光子产生靶（20）位于所述第一内腔（c1）内；其中，所述中子慢化结构（50）与所述光子屏蔽结构（40）邻接设置，且具有容纳所述中子产生靶（30）的容纳腔和第二内腔（c2），所述第二内腔（c2）与所述容纳腔隔开且与所述第一内腔（c1）连通，所述中子束流出口（60）开设于所述中子慢化结构（50）的侧壁。
13.根据权利要求1所述的中子产生装置，还包括：滤光件（70），设置于所述中子束流出口（60），被配置为对伴随所述中子束流的光子进行滤除。
14.根据权利要求1所述的中子产生装置，其中，所述中子产生靶（30）邻近所述光子产生靶（20）一侧的表面与垂直于所述第一方向（dr1）的平面之间的第二夹角（α2）为锐角，且所述光子产生靶（20）沿所述第一方向（dr1）到所述中子产生靶（30）邻近所述光子产生靶（20）一侧的表面的距离从远离所述中子束流出口（60）的一侧到邻近所述中子束流出口（60）的一侧逐渐增加。
15.根据权利要求1所述的中子产生装置，其中，所述光子产生靶（20）包括钽、钨和铋中的至少一种，所述中子产生靶（30）包括含氘材料、铍、铀和钨中的至少一种。
16.一种物质成分分析系统，包括：权利要求1-15任一所述的中子产生装置。
