一种碳化硅MOSFET批量测量电路、控制方法、终端及介质

本申请公开了一种碳化硅MOSFET批量测量电路、控制方法、终端及介质，本申请基于特定的碳化硅MOSFET批量测量电路，由上位机对继电器控制器发出指令，实现与各个碳化硅MOSFET元件相连的继电器能正确的开断。当需测量某个碳化硅MOSFET元件参数时，通过上位机开通该元件漏极和栅极处的继电器，断开其它回路的继电器，实现测量。如要测量多个元件，只需开通单颗元件对应回路的继电器，测量结束后断开，下个元件对应回路的继电器此时开通，直至测量完全部碳化硅MOSFET元件结束，通过本申请的方案可以利用继电器控制器以及上位机实现多个MOSFET元件的静态参数测量，无需频繁对元件进行替换，提高了规模化碳化硅MOSFET静态参数的测量效率。