一种N极性氮化镓材料制备方法

本公开提供了一种N极性氮化镓材料制备方法，可以应用于化合物半导体材料技术领域。方法步骤包括：对Ga极性Si基GaN晶圆进行离子注入到指定深度，通过将GaN功能层与目标晶圆键合并进行加固退火；通过进行剥离退火将GaN功能层和缓冲层从Si衬底上剥离；对剥离下来的N极性GaN功能层进行修复退火；最后去除残留的Si衬底和缓冲层，获得目标晶圆上N极性氮化镓材料。本方法不需要机械抛光和化学机械抛光工艺，避免GaN功能层损伤，从而实现N极性氮化镓材料的备选制备方案。