一种碳化硅驱动电路及其控制方法

本申请公开了一种碳化硅驱动电路及其控制方法，涉及电力电子技术领域，解决了碳化硅驱动电路中由于干扰电流上升速度快，保护电路动作过于缓慢，导致碳化硅MOSFET器件故障失效，电路可靠性降低的问题，该电路包括上管驱动电路和下管驱动电路，上管驱动电路包括上管导通驱动电路和具有第一旁路半导体开关的上管关断驱动电路，下管驱动电路包括下管导通驱动电路和具有第二旁路半导体开关的下管关断驱动电路，上管驱动控制信号经过第二隔离电路隔离后输入至第二旁路半导体开关，下管驱动控制信号经过第一隔离电路隔离后输入至第一旁路半导体开关，提升碳化硅驱动电路的抗干扰能力，拓展了高频与高功率碳化器的应用范围，提高了碳化硅MOSFET电路的可靠性。