半导体存储器件

包含SRAM元件的半导体器件包括：衬底；第一和第二电源线，在衬底上并被施加不同电压；字线，在衬底上沿第一方向延伸；位线和互补位线，在衬底上沿与第一方向相交的第二方向延伸；第一和第二单元，在衬底上沿第二方向布置，第一单元包括并联连接在第一和第二电源线之间以形成锁存电路的第一和第二反相器、将第一反相器的输出节点连接到位线的第一传输晶体管、将第二反相器的输出节点连接到互补位线的第二传输晶体管，字线连接到第一和第二传输晶体管的栅极，第二单元包括将第二电源线和位线连接的第一缓冲晶体管及将第二电源线和互补位线连接的第二缓冲晶体管，位线连接到第一缓冲晶体管的栅极，互补位线连接到第二缓冲晶体管的栅极。