1.一种基于持续光电导的仿生动目标感存算一体光电探测系统，其特征在于，所述光电探测系统包括：互联的类突触型仿生光电探测器阵列和类脑忆阻器阵列；所述类突触型仿生光电探测器阵列，用于探测动目标视觉信息时，对所述类突触型仿生光电探测器阵列内每个像素中的器件施加固定偏压，将每个像素对应的空间光照信息转换为持续衰减的光电流信号，在光电流持续衰减的过程中连续接收多帧动态目标的光照信息，并在最后一帧光照信息输入后，读取每个像素的光电流信号，确定记忆了所有历史时刻信息的特征图；所述光电流信号在帧间呈现非线性的持续衰减；类突触型仿生光电探测器阵列执行时间域多帧合一融合探测读取时，利用了探测器的持续光电导效应，光电流随时间非线性衰减，同时完成了单层神经网络的线性计算和非线性计算；所述类脑忆阻器阵列，用于基于欧姆定律和基尔霍夫定律，对所述特征图执行深度神经网络运算，输出与任务结果标签对应的电流，并根据所述电流识别动态目标；所述电流用于表征任务结果标签的概率。
2.根据权利要求1所述的基于持续光电导的仿生动目标感存算一体光电探测系统，其特征在于，所述类突触型仿生光电探测器阵列，具体包括：阵列分布的多个像素，每个像素中包含一个类视网膜光电探测器单元。
3.根据权利要求2所述的基于持续光电导的仿生动目标感存算一体光电探测系统，其特征在于，每个所述类视网膜光电探测器单元包括由下至上依次叠放的衬底、光吸收层以及两个交叉的叉指电极；其中，两个交叉的叉指电极之间形成的沟道对应的光吸收层区域为光响应区域；所述光响应区域用于提供线性光响应和光电流非线性衰减，调控每个所述类视网膜光电探测器单元两端电极的电压，以对该类视网膜光电探测器单元的光响应编码。
4.根据权利要求3所述的基于持续光电导的仿生动目标感存算一体光电探测系统，其特征在于，所述衬底为绝缘的Al 2 O 3 衬底；所述光吸收层为MoS 2 二维材料；通过光刻刻蚀工艺在所述MoS 2 二维材料上进行图像化设计，并通过电子束蒸镀在所述MoS 2 二维材料的表面淀积金属电极；所述金属电极为所述叉指电极。
5.根据权利要求3所述的基于持续光电导的仿生动目标感存算一体光电探测系统，其特征在于，所述叉指电极为长方形交叉指状结构；两个叉指电极包括正电极和负电极；所述正电极和负电极交错排列。
6.根据权利要求2所述的基于持续光电导的仿生动目标感存算一体光电探测系统，其特征在于，所述类视网膜光电探测器单元的光响应率为随机固定值；所述光电流信号为光响应率与光照强度的乘积。
7.根据权利要求1所述的基于持续光电导的仿生动目标感存算一体光电探测系统，其特征在于，所述类脑忆阻器阵列利用字线电路、源线电路和位线电路交织成网状布局；所述网状布局内每个交叉点上布设一个忆阻单元；所述忆阻单元包括一个晶体管和一个忆阻器；所述字线电路与所述晶体管的栅极相连接，所述源线电路与所述忆阻器的顶电极相连接，所述位线电路与所述忆阻器的地点及相连接；所述忆阻器的底电极还与所述晶体管的漏极直接连接；通过调整所述晶体管的栅极电压，以控制所述类脑忆阻器阵列的导电状态；所述导电状态包括导通状态和断开状态。
8.根据权利要求7所述的基于持续光电导的仿生动目标感存算一体光电探测系统，其特征在于，所述忆阻器阵列的顶层为顶电极层，中间为阻变层，底层为底电极层；通过行选通所述顶电极层输入电压，通过列选通所述底电极层输出电流；所述忆阻器阵列遵循欧姆定律和基尔霍夫定律完成乘累加运算，从各列读取电流，完成深度神经网络中的向量矩阵乘法运算，实现存算一体的硬件深度神经网络。
9.根据权利要求1所述的基于持续光电导的仿生动目标感存算一体光电探测系统，其特征在于，还包括：驱动电路；所述驱动电路，直接与所述类突触型仿生光电探测器阵列的各个电极相连接，用于读取所述光电流信号；所述驱动电路，直接与所述类脑忆阻器阵列的顶电极相连接，用于将所述光电流信号转换为电压信号，并将所述电压信号输入至所述类脑忆阻器阵列中。
