在审

一种去除碳纳米管表面聚合物的方法

孙兵、王晨阳、常虎东、王鑫华、魏珂
中国科学院微电子研究所

摘要

本发明涉及一种去除碳纳米管表面聚合物的方法。所述方法包括:在衬底表面的碳纳米管薄膜上生长锗薄膜;对形成有锗薄膜和碳纳米管薄膜的衬底进行退火处理;以及采用双氧水腐蚀去除锗薄膜并采用有机溶剂对形成有碳纳米管薄膜的衬底进行清洗,以去除碳纳米管表面的聚合物。本发明提供的方法能够减少碳纳米管在退火过程中受到的损伤,并且可以提高碳纳米管表面聚合物的去除效果。

暂无引用专利