1.一种植物乳杆菌用于浸出电子废弃物混合粉末的浸出方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1：制备电子废弃物混合粉末；所述电子废弃物为废旧磷酸铁锂电池和废旧印刷电路板；将废旧磷酸铁锂电池拆解、放电、干燥后，将正极分离出来剪成正方形小块，将废旧磷酸铁锂电池正方形小块浸泡在有机溶剂中溶解粘结剂，清洗干燥破碎过筛网后，得到废旧磷酸铁锂电池粉末；将废旧印刷电路板进行拆解，去除废旧印刷电路板表面电子元件及塑料部分，再剪成废旧印刷电路板正方形小块，破碎过筛网后球磨，再次过筛得到废旧印刷电路板粉末；步骤2：配置培养基；步骤3：驯化细菌；在步骤2配制的培养基中加入植物乳杆菌和电子废弃物混合粉末，培养至细胞浓度为10 8 cells/mL时，进行传代，得到驯化后的植物乳杆菌；步骤4：浸出；分别采用两步法、废培养基法进行浸出，对浸出液进行取样后，监测pH值、ORP值和细菌浓度，再过滤得到滤液，测量滤液中锂、铁和铜的浓度；使用1%稀硝酸对所述滤液进行稀释，使用电感耦合等离子体发射光谱仪ICP-OES测量锂、铁和铜的浓度并计算浸出百分比；步骤1-4中不需要额外添加辅助物质，当废旧磷酸铁锂电池粉末和废旧印刷电路板粉末浓度分别为15.0g/L时，5天内锂、铁和铜的浸出百分比分别为87.3%、44.3%和99.8%。
2.根据权利要求1所述的一种植物乳杆菌用于浸出电子废弃物混合粉末的浸出方法，其特征在于，步骤1所述的放电为在20%(w/w)的NaCl溶液中放电24小时，所述干燥的温度为54℃~56℃，干燥至恒重；所述废旧磷酸铁锂电池正方形小块和废旧印刷电路板正方形小块的长和宽为1cm；所述废旧磷酸铁锂电池正方形小块破碎过100目筛网；所述废旧印刷电路板正方形小块破碎过100目筛网后球磨3分钟，再次过200目筛网。
3.根据权利要求1所述的一种植物乳杆菌用于浸出电子废弃物混合粉末的浸出方法，其特征在于，步骤1所述有机溶剂为N-甲基吡咯烷酮溶液，将所述废旧磷酸铁锂电池正方形小块浸泡在有机溶剂中，60℃溶解2小时，所述清洗是用蒸馏水对溶解后的正方形小块清洗三次。
4.根据权利要求1所述的一种植物乳杆菌用于浸出电子废弃物混合粉末的浸出方法，其特征在于，步骤2所述的培养基配置为：蛋白胨10.0g/L，牛肉浸粉5.0g/L，酵母浸粉4.0g/L，葡萄糖20.0g/L，KH 2 PO 4 2.0g/L，C 6 H 5 O 7 (NH 4 ) 3 2.0g/L，CH 3 COONa 5.0g/L，MgSO 4 0.2g/L，MnSO 4 0.05g/L，Tween-80 1.0g/L的MRS培养基。
5.根据权利要求1所述的一种植物乳杆菌用于浸出电子废弃物混合粉末的浸出方法，其特征在于，所述步骤3中培养基初始pH值为6，初始细菌浓度为10 7 cells/mL，初始废旧磷酸铁锂粉末和废旧印刷电路板粉末浓度分别各为1.0g/L；培养温度为36℃~38℃。
6.根据权利要求1所述的一种植物乳杆菌用于浸出电子废弃物混合粉末的浸出方法，其特征在于，步骤3所述的传代步骤为：取继代培养的菌液和废旧磷酸铁锂粉末和废旧印刷电路板粉末，同时加入到步骤2所述的培养基中，每5mL继代培养的菌液对应100mL步骤2所述的培养基，所述废旧磷酸铁锂粉末和废旧印刷电路板粉末浓度分别各为1.0g/L，培养至细菌浓度为10 8 cells/mL时，取此时继代培养的菌液重复上述步骤；同一废旧磷酸铁锂粉末和废旧印刷电路板粉末浓度传代2次，即每培养2次，废旧磷酸铁锂粉末和废旧印刷电路板粉末浓度各增加0.5g/L，以此类推，直到废旧磷酸铁锂粉末和废旧印刷电路板粉末浓度分别为50.0g/L，细胞浓度达到且稳定为10 8 cells/mL时，驯化过程结束，得到驯化后的植物乳杆菌。
7.根据权利要求1所述的一种植物乳杆菌用于浸出电子废弃物混合粉末的浸出方法，其特征在于，步骤4所述的两步法浸出为：在锥形瓶中加入废旧印刷电路板粉末进行高压灭菌，在培养基中接种所述驯化后的植物乳杆菌，使初始细菌浓度为10 7 cells/mL，培养至对数生长期，得到含有植物乳杆菌及其代谢产物的浸出液，向灭菌后的锥形瓶中加入所述浸出液和废旧磷酸铁锂粉末，开始浸出实验，记为0h。
8.根据权利要求1所述的一种植物乳杆菌用于浸出电子废弃物混合粉末的浸出方法，其特征在于，步骤4所述的废培养基法浸出为：在锥形瓶中加入废旧印刷电路板粉末进行高压灭菌，在培养基中接种所述驯化后的植物乳杆菌，使初始细菌浓度为10 7 cells/mL，培养至稳定期，得到含有植物乳杆菌及其代谢产物的稳定期菌液，将所述稳定期菌液离心后过滤得到含有植物乳杆菌代谢产物的浸出液，向灭菌后的锥形瓶中加入所述浸出液和废旧磷酸铁锂粉末，开始浸出实验，记为0h。
9.根据权利要求7或8任一项所述的一种植物乳杆菌用于浸出电子废弃物混合粉末的浸出方法，其特征在于，步骤4所述的两步法和废培养基法中的浸出温度为36℃~38℃，搅拌速度为150rpm；所述高压灭菌的温度为120℃~122℃，压力为99kPa~101kPa，灭菌时间为15min ~25min；所述废培养基法中离心速度为4500rpm/min，时间为8min ~12min，所述过滤采用0.22μm水系膜。
