一种单片集成桥式电路结构

本申请提供了一种单片集成桥式电路结构，该结构包括衬底、第一器件结构和第二器件结构，衬底包括不同导电类型的第一半导体层和第二半导体层，第一器件结构包括第一源极层和第一漏极层，第二器件结构包括第二源极层和第二漏极层，且第二漏极层与电源连接，第二源极层与第一漏极层和第二器件结构下的第二半导体层连接，第一源极层与第一器件结构下的第二半导体层连接并接地。当第一器件结构关断且第二器件结构导通时，与第一器件结构对应的第二半导体层与第一半导体层组成的PN结反偏，与第二器件结构对应的第二半导体层与第一半导体层组成的PN结正偏，进而实现了第一器件结构和第二器件结构的片上集成和电性隔离以及电路结构耐压能力的提升。