1.一种芯片老化测试过程中的芯片绝缘缺陷检测装置，其特征在于，包括：检测电源，其具有电源正极V+以及电源负极V-，且所述电源正极V+连接依次串联的n个芯片D 1 、D 2 、...、D n 中，第1个芯片D 1 的正极，每一芯片均有与其唯一对应的编号；导电单元；首端导线，其一端连接依次串联的n个芯片D 1 、D 2 、...、D n 中，第1个芯片D 1 的正极，另一端连接所述导电单元；尾端导线，其一端连接依次串联的n个芯片D 1 、D 2 、...、D n 中，第n个芯片D n 的负极，另一端连接所述导电单元；若干中间导线，且每相邻两个芯片之间，均有一中间导线的一端同时连接前一芯片的负极以及后一芯片的正极，另一端连接所述导电单元；电压采样单元，其分别连接所述导电单元以及电源负极V-，用于获取经过每一导线流向导电单元的电流所产生的对应的当前电压模拟信号，且将每一当前电压模拟信号转换为对应的当前电压数字信号；以及上位机，其连接所述电压采样单元，用于根据所有当前电压数字信号以及采样电压-芯片数量之间的映射关系确定是否有芯片与导电单元发生短路，以及确定发生短路的芯片编号。
2.如权利要求1所述的芯片绝缘缺陷检测装置，其特征在于，所述导电单元由导电金属材料制成，且接触电阻小于1Ω。
3.如权利要求1所述的芯片绝缘缺陷检测装置，其特征在于，所述电压采样单元包括：采样电阻，其同时连接所述导电单元、电源负极V-，用于获取经过不同导线流向导电单元的电流所产生的当前电压模拟信号；以及信号转换单元，其用于将每一当前电压模拟信号转换为对应的当前电压数字信号。
4.如权利要求3所述的芯片绝缘缺陷检测装置，其特征在于，每一当前电压模拟信号在被信号转换单元进行信号转换之前，均经过信号放大和滤波处理。
5.如权利要求3所述的芯片绝缘缺陷检测装置，其特征在于，所述采样电压-芯片数量之间的映射关系包括所有芯片均未与导电单元发生短路时的第一映射关系以及至少有1个芯片与导电单元发生短路时的第二映射关系。
6.如权利要求5所述的芯片绝缘缺陷检测装置，其特征在于，第一映射关系和/或第二映射关系预先进行构建，其包括如下步骤：根据公式（1）获取检测电源输出的电流流过依次串联的、不同数量的芯片后，其产生的对应电压值Vdsp： （1）；其中，V1为检测电源的供电电压；n x 为检测电源输出的电流流过的芯片数量；VD为电流流过每一芯片时所产生的压降；R s 为采样电阻的电阻阻值；R a 为芯片绝缘电阻；K a 为信号放大系数；将获得的所有电压值Vdsp以及检测电源输出的电流流过的芯片数量n x 进行拟合，以得到一次函数曲线。
7.如权利要求6所述的芯片绝缘缺陷检测装置，其特征在于，当仅有1个芯片存在绝缘性能缺陷时，将存在绝缘性能缺陷的芯片绝缘电阻值作为芯片绝缘电阻；当有多个芯片均存在绝缘性能缺陷时，将存在绝缘性能缺陷的所有芯片的绝缘电阻值进行并联计算，并将并联计算的结果作为芯片绝缘电阻。
8.如权利要求5所述的芯片绝缘缺陷检测装置，其特征在于，根据所有当前电压数字信号以及采样电压-芯片数量之间的映射关系确定是否有芯片与导电单元发生短路，以及确定发生短路的芯片编号，包括如下内容：若所有当前电压数字信号均在第一映射关系对应的电压值范围内，则认为所有芯片的绝缘性能均符合要求，均未发生短路。
9.如权利要求5所述的芯片绝缘缺陷检测装置，其特征在于，根据所有当前电压数字信号以及采样电压-芯片数量之间的映射关系确定是否有芯片与导电单元发生短路，以及确定发生短路的芯片编号，包括如下内容：若至少有1个当前电压数字信号不在第一映射关系对应的电压值范围内，则将该当前电压数字信号与第二映射关系对应的电压值进行比较，并根据比较结果确定n x 的值，以及通过n x 的值确定发生短路的芯片编号。
10.一种通过权利要求1-9任一项所述绝缘缺陷检测装置实现的芯片绝缘缺陷检测方法，其特征在于，包括如下步骤：通过上位机设定绝缘检测时刻；到达绝缘监测时刻时，上位机自动控制开关闭合，以通过检测电源向依次串联的n个芯片D 1 、D 2 、...、D n 供电；通过电压采样单元自动获取经过不同导线流向导电单元的电流所产生的每一当前电压模拟信号，并自动将每一当前电压模拟信号转换为对应的当前电压数字信号；上位机接收所有当前电压数字信号，并根据所有当前电压数字信号以及采样电压-芯片数量之间的映射关系自动输出检测结果，并保存所述检测结果，所述检测结果包括：是否有芯片与导电单元发生短路，以及确定发生短路的芯片编号。
