1.一种双通带FSR的单元结构，其特征在于，包括：阻抗层（10），包括介质基板一（11）、双螺旋谐振结构（12）、交指电容结构（13）、连接导线（14），所述介质基板一（11）的两面上均设置双螺旋谐振结构（12）和交指电容结构（13），位于同一面的双螺旋谐振结构（12）和交指电容结构（13）之间通过连接导线（14）连接，所述双螺旋谐振结构（12）和交指电容结构（13）需要连接在同一极化方向，所述连接导线（14）上设置有电阻（15），所述介质基板一（11）两面的连接导线（14）为交叉位置关系；FSS层（20），具有双方环缝隙以构造两个传输带；所述阻抗层（10）与FSS层（20）具有间隔；所述交指电容结构（13）包括相互啮合的多齿结构一（131）和多齿结构二（132），所述多齿结构一（131）与多齿结构二（132）相连，多齿结构一（131）和多齿结构二（132）除了在一个点位处相连，其余部分是具有间隙的。
2.根据权利要求1所述的单元结构，其特征在于，所述介质基板一（11）两面的两个连接导线（14）为十字交叉位置关系。
3.根据权利要求1所述的单元结构，其特征在于，所述双螺旋谐振结构（12）包括相互围绕的两个螺旋导电片（121），且两个螺旋导电片（121）之间具有螺旋间隙，其中一个所述螺旋导电片（121）的外端与连接导线（14）连接，另一个所述螺旋导电片（121）的外端连接有T形导电片一（16）。
4.根据权利要求3所述的单元结构，其特征在于，所述螺旋导电片（121）的结构为矩形螺旋结构或圆形螺旋结构。
5.根据权利要求3所述的单元结构，其特征在于，两个所述螺旋导电片（121）的螺旋间隙宽度为 g ，所述螺旋导电片（121）的宽度为 c ，所述T形导电片一（16）的横线部分和垂直线部分的宽度均为 w 2 ，所述连接导线（14）的长度为 l 3 ，所述T形导电片一（16）的横线部分与未与T形导电片一（16）连接的螺旋导电片（121）的间距为 l 4 ，所述交指电容结构（13）的宽度为 f_l ，长度为 f_w ，且 g : c : w 2 : l 3 : l 4 : f_l : f_w =0.1:0.15:0.25:5.2:1.15:2.5:2；和/或，所述连接导线（14）的材质为金属或导电复合材料；和/或，所述螺旋导电片（121）的材质为金属或导电复合材料；和/或，所述T形导电片一（16）的材质为金属或导电复合材料。
6.根据权利要求1所述的单元结构，其特征在于，所述多齿结构一（131）背离多齿结构二（132）的一侧与连接导线（14）相连，所述多齿结构二（132）背离多齿结构一（131）的一侧连接有T形导电片二（17）。
7.根据权利要求6所述的单元结构，其特征在于，所述多齿结构一（131）包括间隔分布的多个导电条一（1311）、连接多个导电条一（1311）的导电连接片一（1312），所述多齿结构二（132）包括间隔分布的多个导电条二（1321）、连接多个导电条二（1321）的导电连接片二（1322），多个导电条一（1311）与多个导电条二（1321）交替分布，且其中一个导电条一（1311）延长连接到导电连接片二（1322）上；和/或，所述T形导电片二（17）的横线部分和垂直线部分的宽度均为 w 1 ，所述T形导电片二（17）的横线部分的长度为 l 5 ，所述T形导电片二（17）的横线部分与介质基板一（11）的边缘的间距为 l 1 ； w 1 : l 5 : l 1 =0.2:4:0.75；和/或，多齿结构一（131）和多齿结构二（132）的材质为金属或导电复合材料；和/或，所述T形导电片二（17）的材质为金属或导电复合材料。
8.根据权利要求1所述的单元结构，其特征在于，所述FSS层（20）包括介质基板二（21）、设置于介质基板二（21）上的方环导电片一（22）、设置于介质基板二（21）上并位于的方环导电片一（22）内的方环导电片二（23）、设置于介质基板二（21）上并位于方环导电片二（23）内的方形导电片（24），所述方环导电片一（22）与方环导电片二（23）间具有方环缝隙一（25），所述方环导电片二（23）与方形导电片（24）间具有方环缝隙二（26）；和/或，所述阻抗层（10）与FSS层（20）的间距为10±10% mm。
9.一种双通带FSR，其特征在于，包括一个或多个权利要求1-8任一项所述的单元结构。
10.一种天线罩，其特征在于，包括一个或多个权利要求9所述的双通带FSR。
