用于超高剂量率辐射装置的校准设备、校准方法及超高剂量率辐射装置

1.一种用于超高剂量率辐射装置的校准设备，所述超高剂量率辐射装置包括用于发出多束辐射束流的多个束流模块，所述校准设备包括：校准靶组件，包括靶部，其中，所述靶部在校准过程中位于所述超高剂量率辐射装置的预定辐射区域；其中，所述靶部用于作为基准来校准所述多束辐射束流交汇于所述预定辐射区域的交汇偏差；多个激光组件，一一对应地安装于所述多个束流模块各自的束流发射位置；其中，所述多个激光组件用于发射多束激光至所述靶部，以模拟所述多束辐射束流交汇于所述预定辐射区域的交汇位置；所述多个束流模块安装于所述超高剂量率辐射装置的回转滚筒，所述靶部在校准过程中位于所述超高剂量率辐射装置的预定辐射区域包括：在校准过程中，所述靶部的中心位于所述回转滚筒的回转轴线；所述靶部包括：球体，其中，在校准过程中所述球体的球心位于所述回转滚筒的回转轴线，所述球体绘制有相互交织的经线和纬线，其中，所述经线和纬线用于表征所述多束激光中任两束激光之间的交汇偏差。 2.根据权利要求1所述的校准设备，其特征在于，所述多个束流模块绕所述回转滚筒环形分布，所述球体用于作为基准，引导所述多束激光交汇于球体表面。 3.根据权利要求2所述的校准设备，其特征在于，所述球体的半径小于或等于预定阈值，所述球体的球心与所述预定辐射区域中的目标点位置重合，其中，所述预定阈值用于约束任一束激光的击中位置与目标放疗位置之间的误差。 4.根据权利要求1所述的校准设备，其特征在于，所述校准靶组件还包括支撑架，所述支撑架包括：底座，安装于所述回转滚筒内壁，所述底座的底面弧度与位于所述回转滚筒内壁安装区域的弧度相匹配；连接件，其第一端与所述底座连接，其第二端与所述球体连接。 5.根据权利要求2所述的校准设备，其特征在于，所述多个束流模块各自的束流发射位置与所述靶部的距离相等。 6.根据权利要求1所述的校准设备，其特征在于，所述靶部包括：至少一个剂量检测模块，用于检测每个束流模块所发辐射束流的第一实际剂量；其中，所述第一实际剂量与所述每个束流模块所发辐射束流的第一理论剂量之间的差值，用于表征所述交汇偏差。 7.根据权利要求6所述的校准设备，其特征在于，所述至少一个剂量检测模块包括：至少一个剂量仪，用于检测所述每个束流模块所发辐射束流的第一实际剂量。 8.根据权利要求7所述的校准设备，其特征在于，所述至少一个剂量仪包括多个剂量仪，所述多个束流模块绕所述超高剂量率辐射装置的回转滚筒环形分布，所述多个剂量仪的多个射线检测区域呈环形分布，以与所述多个束流模块的多个束流发射位置一一对应；其中，所述多个剂量仪用于一一对应地检测所述多束辐射束流中每束辐射束流的第一实际剂量。 9.根据权利要求6所述的校准设备，其特征在于，所述至少一个剂量检测模块包括：至少一个电离室，用于检测所述每个束流模块所发辐射束流的第二实际剂量；其中，所述第二实际剂量与所述每个束流模块所发辐射束流的第一理论剂量之间的差值，用于表征所述交汇偏差。 10.根据权利要求9所述的校准设备，其特征在于，所述至少一个电离室包括多个电离室，所述多个束流模块绕所述超高剂量率辐射装置的回转滚筒环形分布，所述多个电离室的多个射线入射角度与所述多个束流模块的多个束流发射位置一一对应，以一一对应地接收所述多束辐射束流；其中，所述多个电离室用于一一对应地检测所述多束辐射束流中每束辐射束流的第二实际剂量。 11.一种用于超高剂量率辐射装置的校准方法，用于权利要求1~10中任一项所述的校准设备，所述超高剂量率辐射装置包括用于发出多束辐射束流的多个束流模块，所述校准方法包括：在校准过程中，将校准靶组件的靶布置于所述超高剂量率辐射装置的预定辐射区域；将所述靶部作为基准来校准所述多束辐射束流交汇于所述预定辐射区域的交汇偏差。 12.一种超高剂量率辐射装置，包括：回转滚筒；用于发出多束辐射束流的多个束流模块，其中，所述多个束流模块绕所述回转滚筒环形分布；其中，所述多个束流模块配置为经权利要求1~10中任一项所述的校准设备进行校准，以将所述多束辐射束流交汇于预定辐射区域。