1.一种石墨烯全光调制器，其特征在于，包括薄硅槽波导（100）、模式转换器单元（200）以及二氧化硅衬底（300），薄硅槽波导（100）和模式转换器单元（200）位于二氧化硅衬底（300）上；薄硅槽波导（100）两侧分别连接有一组模式转换器单元（200），两组模式转换器单元（200）对称分布于薄硅槽波导（100）两侧；模式转换器单元（200）包括薄硅光栅耦合器（201）、薄硅直波导（202）以及薄硅模式转换器（203），薄硅光栅耦合器（201）连接薄硅直波导（202），薄硅直波导（202）连接薄硅模式转换器（203），薄硅模式转换器（203）连接薄硅槽波导（100）；薄硅槽波导（100）上覆盖有石墨烯-六方氮化硼异质结（400）；薄硅槽波导（100）的宽度w1为10nm-30nm，薄硅槽波导（100）的硅柱宽度w2为300nm-400nm。
2.根据权利要求1所述的石墨烯全光调制器，其特征在于，薄硅光栅耦合器（201）的高度h1和薄硅槽波导（100）的高度h3一致。
3.根据权利要求2所述的石墨烯全光调制器，其特征在于，薄硅光栅耦合器（201）的刻蚀为全刻蚀，刻蚀深度为h1。
4.根据权利要求3所述的石墨烯全光调制器，其特征在于，薄硅直波导（202）的高度h2与薄硅槽波导（100）的高度h3一致。
5.根据权利要求4所述的石墨烯全光调制器，其特征在于，石墨烯-六方氮化硼异质结（400）的覆盖面积与薄硅槽波导（100）的面积相同。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的石墨烯全光调制器，其特征在于，薄硅光栅耦合器（201）的高度h1、薄硅直波导（202）的高度h2、薄硅模式转换器（203）的高度h4和薄硅槽波导（100）的高度h3相等，均为50nm-150nm；和/或薄硅模式转换器（203）的转换长度L1为500mm-700nm。
7.如权利要求1至6中任一项所述的石墨烯全光调制器的应用，将光纤中模式耦合进入薄硅槽波导的应用，其特征在于，将信号光与泵浦光输入光纤中，通过薄硅光栅耦合器（201）将信号光与泵浦光耦合进入薄硅直波导（202），并通过薄硅模式转换器（203）耦合输入进薄硅槽波导（100）中。
8.如权利要求1至6中任一项所述的石墨烯全光调制器的应用，进行全光调制的应用，其特征在于，包括以下步骤：S100、将信号光与泵浦光输入光纤；S200、光信号输入模式转换器单元（200）进行光信号的耦合以及模式转换，并输入至薄硅槽波导（100）中；S300、在薄硅槽波导（100）中，因为石墨烯材料的泡利不相容原理，能量小的信号光被能量大的泵浦光调制：S400、与步骤S100至S300的光信号输入模式转换器单元（200）的方法相同，被调制后的光信号，从薄硅槽波导（100）另一端经过对称的模式转换器单元（200）输出并耦合至光纤。
9.根据权利要求8所述的石墨烯全光调制器的应用，其特征在于，步骤S200中，光信号输入模式转换器单元（200）进行模式转换，并输入至薄硅槽波导（100）中，具体包括：S201、将光信号耦合进薄硅光栅耦合器（201）；S202、光信号通过薄硅直波导（202）进入薄硅模式转换器（203）；S203、光信号在薄硅模式转换器（203）中转换为薄硅槽波导（100）中的光信号，从而完成模式的转换；S204、模式转换后的光信号输入至薄硅槽波导（100）中。
