一种碳化硅MOSFET驱动电压控制装置

1.一种碳化硅MOSFET驱动电压控制装置，其特征在于，所述装置包括：驱动电路、分压电路和功率放大电路；所述分压电路分别连接供电电源、接地线和所述功率放大电路；所述功率放大电路分别连接供电电源、接地线、所述功率放大电路和碳化硅MOSFET的源极；所述驱动电路分别连接供电电源、接地线和碳化硅MOSFET的栅极。 2.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述分压电路包括：稳压二极管D1、电阻R1、电阻R2、运算放大器U1、运算放大器U2、电流源I1和MOSFET器件M1；所述供电电源依次连接稳压二极管D1和电阻R1后接地；所述供电电源依次连接电流源I1、电阻R2和MOSFET器件M1的源极；所述MOSFET器件M1的源极接地；所述稳压二极管D1与电阻R1之间的连接点接入运算放大器U1的反向输入端；所述运算放大器U1的正向输入端连接MOSFET器件M1的漏极；所述运算放大器U1的输出端连接MOSFET器件M1的栅极；所述MOSFET器件M1的漏极连接所述电流源I1与电阻R2之间的连接点后接入运算放大器U2的正向输入端；所述运算放大器U2的反向输入端连接所述运算放大器U2的输出端；所述运算放大器U2的供电端口分别连接所述供电电源和接地线。 3.如权利要求2所述的装置，其特征在于，所述功率放大电路包括：三极管T1和三极管T2；所述三极管T1的集电极连接供电电源；所述三极管T1的发射极与三极管T2的发射极连接；所述三极管T2的集电极接地；所述三极管T1的基极与三极管T2的基极连接；所述三极管T1的基极与三极管T2的基极之间的连接点连接所述运算放大器U2的输出端；所述三极管T1的发射极与三极管T2的发射极之间的连接点为所述功率放大电路的输出端。 4.如权利要求3所述的装置，其特征在于，所述三极管T1为NPN三极管，所述三极管T2为PNP三极管。