1.一种用于检测AIS设备局部放电的气敏传感器，其特征在于，包括PET柔性基底、以及位于所述PET柔性基底上的n段表面喷涂有掺杂改性石墨烯气敏薄膜的叉指电极，n≥2；各段所述叉指电极共用进线抽头、各自具有出线抽头，所述进线抽头、n个所述出线抽头用于连接采集装置；各段所述叉指电极所用的薄膜类型为金属掺杂型或非金属掺杂型中的一种；所述气敏传感器具有n种气敏信号输出，支持采集装置通过自选并线方式进行2 n -1种气敏信号采集。
2.如权利要求1所述的用于检测AIS设备局部放电的气敏传感器，其特征在于，所述气敏传感器用于感应局部放电产生的NO 2 、O 3 和CO三种特征分解组分。
3.如权利要求1所述的用于检测AIS设备局部放电的气敏传感器，其特征在于，所述叉指电极为镀Au材质，厚度为30µm，电极间距为0.10mm；掺杂改性石墨烯气敏薄膜的厚度为250~500nm。
4.如权利要求1所述的用于检测AIS设备局部放电的气敏传感器，其特征在于，所述金属掺杂型进一步分为Pd掺杂型、Pt掺杂型、Au掺杂型。
5.如权利要求2所述的用于检测AIS设备局部放电的气敏传感器，其特征在于，所述非金属掺杂型进一步分为B掺杂型和N掺杂型。
6.如权利要求5所述的用于检测AIS设备局部放电的气敏传感器，其特征在于，所述叉指电极表面的掺杂改性石墨烯气敏薄膜为Pd掺杂型、Pt掺杂型、Au掺杂型、B掺杂型和N掺杂型中的一种，相邻段所采用的薄膜类型相同或者不同。
7.如权利要求1所述的用于检测AIS设备局部放电的气敏传感器，其特征在于，令n=3，三段式掺杂电极的尺寸设置为35mm×10mm×50mm；或者，令n=5，五段式掺杂电极的尺寸设置为55mm×10mm×50mm。
8.一种AIS局部放电检测系统，其特征在于，包括依次电性连接的气敏传感器、多通道采集模块、上位机，其中：所述气敏传感器为权利要求1-7任一项所述的用于检测AIS设备局部放电的气敏传感器，所述气敏传感器置于AIS设备的内部；所述多通道采集模块为n进m出的信号采集设备，其中，n个进线端口连接所述气敏传感器的n个出线抽头，m个出线端口连接所述上位机，m∈[1,2 n -1]。
9.如权利要求8所述的AIS局部放电检测系统，其特征在于，所述多通道采集模块中，所述进线端口和所述出线端口之间具有串并联采集电路，其中，所述出线端口与其中一个所述进线端口串联、或者是与其中至少2个进线端口并联。
