1.一种低关断损耗的SiC MOSFET栅极驱动电路，其特征在于，所述栅极驱动电路包括数字微控制器、推挽电路、控制电路、电荷处理电路；所述数字微控制器的信号输出端引出并联的第一支路和第二支路，所述第一支路包括所述推挽电路，所述第二支路包括串联的所述控制电路和电荷处理电路，所述第一支路和所述第二支路的汇合点连接SiC MOSFET栅极；所述数字微控制器选择性地输出高电平信号和低电平信号；所述推挽电路在接收到高电平信号时为所述SiC MOSFET栅极提供正压作为开通偏置电压VCC，所述推挽电路在接收到低电平信号时为所述SiC MOSFET栅极提供负压作为关断偏置电压VEE；所述控制电路包括逻辑处理单元和电压输出端，所述电荷处理电路包括电荷抽放单元和第一二极管，所述控制电路的电压输出端连接电荷抽放单元再串联所述第一二极管的阴极，所述第一二极管的阳极连接所述SiC MOSFET栅极，所述控制电路在接收到低电平信号时提供辅助关断电压Vneg以使所述第一二极管导通，并使所述电荷抽放单元从所述SiCMOSFET栅极抽取定量的电荷；所述辅助关断电压Vneg小于所述关断偏置电压VEE。
2.根据权利要求1所述的低关断损耗的SiC MOSFET栅极驱动电路，其特征在于，所述电荷抽放单元包括第一电容、电流镜；所述第一电容的一端连接所述控制电路的电压输出端的第一引脚，所述第一电容的另一端连接所述电流镜的输入侧，所述电流镜的输出侧连接第一二极管的阴极，所述电流镜的发射极连接所述控制电路的电压输出端的第二引脚；所述控制电路在接收到低电平信号时，所述第一引脚和所述第二引脚之间形成电位差控制单元输出辅助关断电压Vneg。
3.根据权利要求2所述的低关断损耗的SiC MOSFET栅极驱动电路，其特征在于，所述电流镜包括发射极相连的第一晶体管、第二晶体管，所述第一晶体管的集电极和基极之间短路，所述第一晶体管、第二晶体管相连的发射极连接控制电路电压输出端的第二引脚；或，所述第一晶体管、第二晶体管替换为MOS驱动管、MOS负载管。
4.根据权利要求2所述的低关断损耗的SiC MOSFET栅极驱动电路，其特征在于，在电流镜和第一电容之间串接有电荷调节电阻。
5.根据权利要求1所述的低关断损耗的SiC MOSFET栅极驱动电路，其特征在于，所述电荷抽放单元包括开关电容积分器、电流采样电阻、第一开关管，所述开关电容积分器的一端连接所述控制电路的电压输出端的第一引脚，所述开关电容积分器的另一端连接所述第一二极管的阴极，所述第一二极管的阳极连接所述SiCMOSFET栅极；所述第一开关管的一端连接控制电路的电压输出端的第二引脚，所述第一开关管的另一端串接所述电流采样电阻的一端，所述电流采样电阻的另一端连接所述第一二极管的阴极，所述第一开关管的第三端连接所述控制电路的第三引脚，在控制电路接收到低电平信号时，所述第三引脚和所述第二引脚之间形成电位差，提供辅助关断电压Vneg让第一开关管导通。
6.根据权利要求5所述的低关断损耗的SiC MOSFET栅极驱动电路，其特征在于，所述第一开关管选用NMOS管、三极管、场效应管中的一种。
7.根据权利要求5、6任一项所述的低关断损耗的SiC MOSFET栅极驱动电路，其特征在于，所述栅极驱动电路还包括变栅极电阻电路，所述变栅极电阻电路设置在所述推挽电路的电压输出端和所述SiC MOSFET栅极之间，所述变栅极电阻电路包括并联的栅极开通电阻和栅极关断电阻，所述栅极开通电阻所在支路设置有用于控制通断的第二开关管，所述栅极关断电阻所在支路设置有用于控制通断的第三二极管。
8.根据权利要求7所述的低关断损耗的SiC MOSFET栅极驱动电路，其特征在于，所述第三二极管的阴极连接所述推挽电路的电压输出端，所述第三二极管的极阳极连接所述栅极关断电阻的一端，所述栅极关断电阻的另一端连接所述SiC MOSFET栅极，所述第三二极管在所述控制电压输出辅助关断电压Vneg时承受反压关断。
9.根据权利要求7所述的低关断损耗的SiC MOSFET栅极驱动电路，其特征在于，所述第二开关管选用PMOS管或三极管，所述第二开关管的第一端连接所述推挽电路的电压输出端，所述第二开关管的另一端连接所述栅极开通电阻的一端，所述栅极开通电阻的另一端连接所述SiC MOSFET栅极，所述第二开关管在所述推挽电路输出正驱动电压VCC时导通，在所述推挽电路输出负驱动电压VEE时关断。
10.根据权利要求7所述的低关断损耗的SiC MOSFET栅极驱动电路，其特征在于，所述栅极开通电阻Rgon的电阻值大于栅极关断电阻Rgoff。
