1.一种基于关断过程栅极电流的IGBT缺陷定位方法，其特征在于，包括：获取目标IGBT的芯片总数、在栅极电压下降阶段的第一正常栅极电流、第一实际栅极电流、在米勒平台阶段的第二正常栅极电流和第二实际栅极电流，关断过程包括：所述栅极电压下降阶段和所述米勒平台阶段；根据所述在栅极电压下降阶段的第一正常栅极电流、第一实际栅极电流、在米勒平台阶段的第二正常栅极电流和第二实际栅极电流，确定在栅极电压下降阶段的第一正常栅极放电电荷量、第一实际栅极放电电荷量、在米勒平台阶段的第二正常栅极放电电荷量和第二实际栅极放电电荷量；根据所述芯片总数、在栅极电压下降阶段的第一正常栅极放电电荷量、第一实际栅极放电电荷量、在米勒平台阶段的第二正常栅极放电电荷量和第二实际栅极放电电荷量，完成所述目标IGBT的内部缺陷定位；所述根据所述芯片总数、在栅极电压下降阶段的第一正常栅极放电电荷量、第一实际栅极放电电荷量、在米勒平台阶段的第二正常栅极放电电荷量和第二实际栅极放电电荷量，完成所述目标IGBT的内部缺陷定位，包括：检测所述第一正常栅极放电电荷量是否大于所述第一实际栅极放电电荷量，若是，则定位所述目标IGBT的内部缺陷包括栅射极回路缺陷；检测所述第二正常栅极放电电荷量是否大于所述第二实际栅极放电电荷量，若是，则定位所述目标IGBT的内部缺陷包括集栅极回路缺陷。
2.根据权利要求1所述的基于关断过程栅极电流的IGBT缺陷定位方法，其特征在于，在所述定位所述目标IGBT的内部缺陷包括栅射极回路缺陷之后，还包括：根据所述第一正常栅极放电电荷量、第一实际栅极放电电荷量和芯片总数，确定所述目标IGBT发生栅射极回路缺陷的芯片数量。
3.根据权利要求1所述的基于关断过程栅极电流的IGBT缺陷定位方法，其特征在于，在所述定位所述目标IGBT的内部缺陷包括集栅极回路缺陷之后，还包括：根据所述第二正常栅极放电电荷量、第二实际栅极放电电荷量和芯片总数，确定所述目标IGBT发生集栅极回路缺陷的芯片数量。
4.根据权利要求1所述的基于关断过程栅极电流的IGBT缺陷定位方法，其特征在于，还包括：若所述目标IGBT的内部缺陷包括栅射极回路缺陷和集栅极回路缺陷，则确定所述目标IGBT的缺陷类型为栅极缺陷。
5.根据权利要求1所述的基于关断过程栅极电流的IGBT缺陷定位方法，其特征在于，还包括：若所述目标IGBT的内部缺陷包括栅射极回路缺陷不包括集栅极回路缺陷，则确定所述目标IGBT的缺陷类型为发射极缺陷。
6.根据权利要求1所述的基于关断过程栅极电流的IGBT缺陷定位方法，其特征在于，还包括：若所述目标IGBT的内部缺陷包括集栅极回路缺陷不包括栅射极回路缺陷，则确定所述目标IGBT的缺陷类型为集电极缺陷。
7.一种基于关断过程栅极电流的IGBT缺陷定位装置，其特征在于，包括：获取模块，用于获取目标IGBT的芯片总数、在栅极电压下降阶段的第一正常栅极电流、第一实际栅极电流、在米勒平台阶段的第二正常栅极电流和第二实际栅极电流，关断过程包括：所述栅极电压下降阶段和所述米勒平台阶段；确定电荷量模块，用于根据所述在栅极电压下降阶段的第一正常栅极电流、第一实际栅极电流、在米勒平台阶段的第二正常栅极电流和第二实际栅极电流，确定在栅极电压下降阶段的第一正常栅极放电电荷量、第一实际栅极放电电荷量、在米勒平台阶段的第二正常栅极放电电荷量和第二实际栅极放电电荷量；检测模块，用于根据所述芯片总数、在栅极电压下降阶段的第一正常栅极放电电荷量、第一实际栅极放电电荷量、在米勒平台阶段的第二正常栅极放电电荷量和第二实际栅极放电电荷量，完成所述目标IGBT的内部缺陷定位；所述检测模块，包括：第一检测单元，用于检测所述第一正常栅极放电电荷量是否大于所述第一实际栅极放电电荷量，若是，则定位所述目标IGBT的内部缺陷包括栅射极回路缺陷；第二检测单元，用于检测所述第二正常栅极放电电荷量是否大于所述第二实际栅极放电电荷量，若是，则定位所述目标IGBT的内部缺陷包括集栅极回路缺陷。
8.一种电子设备，包括存储器、处理器及存储在存储器上并可在处理器上运行的计算机程序，其特征在于，所述处理器执行所述程序时实现权利要求1至6任一项所述的基于关断过程栅极电流的IGBT缺陷定位方法。
9.一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机指令，其特征在于，所述指令被处理器执行时实现权利要求1至6任一项所述的基于关断过程栅极电流的IGBT缺陷定位方法。
