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基于拓扑缺陷的量子反常霍尔绝缘体的陈数确定方法、系统、计算机设备、存储介质及程序产品
常
常治文机构 暂无
张
张冰机构 暂无
刘
刘鑫机构 暂无
郝
郝维昌机构 暂无
摘要
本发明提供一种基于拓扑缺陷的量子反常霍尔绝缘体的陈数确定方法、系统、计算机设备、存储介质及程序产品,方法包括确定两带模型每个拓扑缺陷的拓扑荷;确定对应的拓扑荷对陈数的贡献,以确定价带或导带的陈数;对哈密顿量做傅里叶变换,得到实空间中的紧束缚哈密顿量;对实空间中的紧束缚哈密顿量做一维傅里叶变换,得到一维有效哈密顿量;判断无能隙的边缘态的数量是否等于导带陈数的绝对值;如果等于,则将无能隙的边缘态的数量作为量子反常霍尔绝缘体的陈数;如果不等于,则重新构建两带模型的哈密顿量及其x分量和y分量关于二维动量的表达式,再次计算陈数。本发明能够大量构建高陈数模型,提高研究效率。
暂无引用专利



