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一种钛酸铋钠基<111>取向多层陶瓷电容器及制备方法

李洋、吴杰、卓然、李学鑫、杨伟鸿、李景雷、傅明利、李飞
西安交通大学

摘要

本发明公开一种钛酸铋钠基<111>取向多层陶瓷电容器及制备方法,属于多层陶瓷电容器制备技术领域,本发明中的制备方法包括低速球磨分散模板、流延法制备单层陶瓷生坯、丝网印刷插指电极、温水等静压叠层、高温烧结、涂刷端电极,低速球磨可以保证模板不碎裂的前提下使模板均匀分散于陶瓷浆料中;长时间烧结保温可以使添加了模板的生坯块体的晶粒延特定晶体学方向定向生长;在该方法制备的钛酸铋钠基织构多层陶瓷电容器,稳定工作条件下的耐电压值可达840 kV/cm,储能密度>15 J/cm、储能效率>90%,与钛酸铋钠基多层陶瓷电容器相比,陶瓷晶粒取向延<111>晶体学方向排列,其可施加电场得到明显增大,并且在高外加电场下可以实现更优异的脉冲储能性能。

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