1.一种三维台体绝缘结构的合成电场分布确定方法，其特征在于，包括：对三维台体绝缘结构进行几何建模及网格剖分，得到所述三维台体绝缘结构对应的三维模型，及所述三维模型对应的节点坐标；基于所述三维模型构建二维径向等效模型和二维轴向等效模型；确定所述二维径向等效模型和所述二维轴向等效模型的空间电荷分布；基于所述二维径向等效模型和所述二维轴向等效模型的空间电荷分布，及所述三维模型对应的节点坐标，确定所述三维台体绝缘结构的合成电场分布；所述基于所述二维径向等效模型和所述二维轴向等效模型的空间电荷分布，及所述三维模型对应的节点坐标，确定所述三维台体绝缘结构的合成电场分布，包括：将所述二维径向等效模型的节点电荷密度插值至所述二维径向等效模型在所述三维模型对应的截面中，得到插值基准数据；在所述二维轴向等效模型中确定多条轴向路径，并确定所述多条轴向路径上对应的所述二维轴向等效模型的节点坐标及节点电荷密度；基于所述多条轴向路径上对应的所述二维轴向等效模型的节点坐标及节点电荷密度，确定每条轴向路径上所述二维轴向等效模型的节点电荷密度随节点坐标变化的关系式；基于所述三维模型中任一节点对应的节点坐标与所述多条轴向路径之间的对应关系，及每条轴向路径上所述二维轴向等效模型的节点电荷密度随节点坐标变化的关系式，确定所述三维模型中任一节点对应的插值修正系数；基于所述三维模型中任一节点对应的节点坐标、所述三维模型中任一节点对应的插值修正系数及所述插值基准数据，确定所述三维台体绝缘结构的合成电场分布。
2.根据权利要求1所述的三维台体绝缘结构的合成电场分布确定方法，其特征在于，所述基于所述三维模型中任一节点对应的节点坐标与所述多条轴向路径之间的对应关系，及每条轴向路径上所述二维轴向等效模型的节点电荷密度随节点坐标变化的关系式，确定所述三维模型中任一节点对应的插值修正系数，包括：在所述三维模型中任一节点对应的节点坐标位于所述多条轴向路径上的情况下，基于所述三维模型中任一节点对应的节点坐标所在的轴向路径上，所述二维轴向等效模型的节点电荷密度随节点坐标变化的关系式，确定所述三维模型中任一节点对应的插值修正系数；在所述三维模型中任一节点对应的节点坐标不位于所述多条轴向路径上的情况下，基于所述三维模型中任一节点对应的节点坐标相邻的两条轴向路径上，所述二维轴向等效模型的节点电荷密度随节点坐标变化的关系式，确定所述三维模型中任一节点对应的插值修正系数。
3.根据权利要求2所述的三维台体绝缘结构的合成电场分布确定方法，其特征在于，基于所述三维模型中任一节点对应的节点坐标、所述三维模型中任一节点对应的插值修正系数及所述插值基准数据，确定所述三维台体绝缘结构的合成电场分布，包括：基于所述三维模型中任一节点对应的节点坐标对所述插值基准数据进行插值，并将插值后的所述插值基准数据与所述三维模型中任一节点对应的插值修正系数的乘积，作为所述三维模型中任一节点对应的节点电荷密度；基于所述三维模型中所有节点对应的节点电荷密度，确定所述三维台体绝缘结构的合成电场分布。
4.根据权利要求3所述的三维台体绝缘结构的合成电场分布确定方法，其特征在于，所述基于所述三维模型中所有节点对应的节点电荷密度，确定所述三维台体绝缘结构的合成电场分布，包括：基于所述三维模型中所有节点对应的节点电荷密度，构建泊松方程；对所述泊松方程求解，得到所述三维台体绝缘结构的合成电场分布。
5.根据权利要求1至4任一项所述的三维台体绝缘结构的合成电场分布确定方法，其特征在于，所述基于所述三维模型构建二维径向等效模型和二维轴向等效模型，包括：使用第一平面截取所述三维模型，得到所述二维径向等效模型；使用第二平面截取所述三维模型，得到所述二维轴向等效模型；其中，所述第一平面为以所述三维模型的几何中心轴为法线的平面，所述第二平面为所述三维模型的几何中心轴所在的平面。
6.根据权利要求5所述的三维台体绝缘结构的合成电场分布确定方法，其特征在于，所述确定所述二维径向等效模型和所述二维轴向等效模型的空间电荷分布，包括：基于双极性载流子输运模型构建所述二维径向等效模型和所述二维轴向等效模型的空间电荷分布对应的数学模型；对所述二维径向等效模型和所述二维轴向等效模型的空间电荷分布对应的数学模型进行求解，得到所述二维径向等效模型和所述二维轴向等效模型的空间电荷分布。
7.一种三维台体绝缘结构的合成电场分布确定装置，其特征在于，包括：第一构建模块，用于对三维台体绝缘结构进行几何建模及网格剖分，得到所述三维台体绝缘结构对应的三维模型，及所述三维模型对应的节点坐标；第二构建模块，用于基于所述三维模型构建二维径向等效模型和二维轴向等效模型；第一确定模块，用于确定所述二维径向等效模型和所述二维轴向等效模型的空间电荷分布；第二确定模块，用于基于所述二维径向等效模型和所述二维轴向等效模型的空间电荷分布，及所述三维模型对应的节点坐标，确定所述三维台体绝缘结构的合成电场分布；所述基于所述二维径向等效模型和所述二维轴向等效模型的空间电荷分布，及所述三维模型对应的节点坐标，确定所述三维台体绝缘结构的合成电场分布，包括：将所述二维径向等效模型的节点电荷密度插值至所述二维径向等效模型在所述三维模型对应的截面中，得到插值基准数据；在所述二维轴向等效模型中确定多条轴向路径，并确定所述多条轴向路径上对应的所述二维轴向等效模型的节点坐标及节点电荷密度；基于所述多条轴向路径上对应的所述二维轴向等效模型的节点坐标及节点电荷密度，确定每条轴向路径上所述二维轴向等效模型的节点电荷密度随节点坐标变化的关系式；基于所述三维模型中任一节点对应的节点坐标与所述多条轴向路径之间的对应关系，及每条轴向路径上所述二维轴向等效模型的节点电荷密度随节点坐标变化的关系式，确定所述三维模型中任一节点对应的插值修正系数；基于所述三维模型中任一节点对应的节点坐标、所述三维模型中任一节点对应的插值修正系数及所述插值基准数据，确定所述三维台体绝缘结构的合成电场分布。
8.一种电子设备，其特征在于，包括存储器和处理器，及存储在存储器上并可在处理器上运行的计算机程序，处理器执行程序时，实现权利要求1至6任一项所述的三维台体绝缘结构的合成电场分布确定方法。
9.一种计算机可读存储介质，其特征在于，其上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现如权利要求1至6任一项所述的三维台体绝缘结构的合成电场分布确定方法。
