一种双沟道GaN HEMT器件及其制备方法

本发明涉及GaN基高电子迁移率晶体管制备技术领域，尤其是涉及一种双沟道GaN HEMT器件及其制备方法，包括依次层叠设置的衬底、缓冲层、第一沟道层、第一势垒层、第二沟道层、第二势垒层、P‑GaN外延层和栅极，第一沟道层和第一势垒层、第二沟道层和第二势垒层之间分别形成异质结，并形成有二维电子气。通过引入与上沟道解耦的下层二维电子气沟道，实现屏蔽背栅效应，进而屏蔽背栅引入的串扰效应，以及缓冲层的陷阱效应，优化器件动态导通特性，降低开关过程中的功率损耗。此外，本发明的下层势垒还可以有效地降低缓冲层漏电过大导致的器件击穿问题。因此，本发明能够同时实现屏蔽背栅效应及缓冲层陷阱效应，对于GaN基集成电路的发展具有重要价值。