电容结构制作方法、电容结构、芯片及电路

本发明提供一种电容结构制作方法、电容结构、芯片及电路，涉及半导体技术领域。制作方法包括：提供衬底，并在衬底上表面依次形成第一电极层、初始介电层和具有对准窗口的刻蚀替位层；对准窗口的宽度等于电容结构的宽度；将刻蚀替位层作为阻挡层，利用对准窗口的自对准作用形成第二电极层；利用初始介电层形成中间介电层；中间介电层为具有上台阶和下台阶的凸字形构型，上台阶的宽度等于电容结构的宽度；形成介质层，并形成第一导电结构和第二导电结构。通过本发明，能够减小介电层的局部损耗，保证电容结构的性能和稳定性。