一种GaN功率器件结构、结温测试装置

本发明公开了一种GaN功率器件结构、结温测试装置包括N型SiC衬底，N型SiC衬底的上端设置有缓冲层，缓冲层的上端沉积金属形成漏极金属层，漏极金属层的上端设置有由高度掺杂的N型GaN层形成的导通层，导通层的上端设置有由轻掺杂N型GaN层形成的漂移区，在漂移区内设置有交替排列的P型GaN层，P型GaN层的下端均与导通层接触，漂移区的上端设置有由P型GaN层形成的阻断层，阻断层的上端设置有由高度掺杂的N型GaN层形成的源极接触层，源极接触层的上端向下刻蚀出沟槽，沟槽内设置有绝缘层，绝缘层的上端沉积形成栅极，源极接触层的上端沉积金属形成源极。本发明能够有效提高击穿电压，在更高的电压下稳定工作，减少器件工作时的温度升高，延长器件寿命。