一种纳米级硅通孔及其制备方法

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摘要

本发明涉及半导体技术领域，尤其是涉及一种纳米级硅通孔及其制备方法，包括以下步骤：提供半导体衬底；采用Bosch工艺在半导体衬底表面制备纳米级沟槽；采用原子层刻蚀工艺对纳米级沟槽的侧壁进行刻蚀形成光滑的侧壁；采用原子层沉积工艺沉积介电层；采用原子层沉积工艺沉积阻挡层；采用原子层沉积工艺沉积金属层。本发明将博世(Bosch)工艺与精确可控的原子层刻蚀(ALE)技术和原子层沉积(ALD)技术相结合。通过ALE技术降低侧壁表面的粗糙度，消除Bosch工艺产生的scallop从而获得光滑的侧壁，接着使用ALD技术来进行介质层和金属层的完全填充，最终构建性能优异的背面供电网络。该方法有效解决了Bosch工艺带来的scallop以及nano‑TSV均匀填充的问题。

申请人

中国科学院微电子研究所

第一发明人

周娜

著录信息

20240819

20241213

申请日

首次公开日

授权(公告日)

维持时间：年

预估到期：