基于片上微凸天线的可扩展硅基太赫兹辐射源

1.基于片上微凸天线的可扩展硅基太赫兹辐射源，其特征在于，为基于片上微凸天线的双重注入结构的四核耦合振荡器，包括一个片上微凸天线以及四个交叉耦合对，每个交叉耦合对包括两个晶体管，每个晶体管的源极连接一个源极电感的一端，且每个晶体管的漏极连接一个漏极电感的一端，每个晶体管的栅极连接一个栅极电感的一端，每个交叉耦合对的两个源极电感的另一端接地、两个漏极电感的另一端与所述片上微凸天线的差分馈入端相接；栅级电感的另一端连接另一个晶体管的漏极；每个交叉耦合对的漏极电感均以第一耦合系数与相邻交叉耦合对的源极电感耦合，并且相邻交叉耦合对之间的栅极电感均以第二耦合系数相耦合，通过两种耦合结构实现交叉耦合对之间的相互注入锁定，增强交叉耦合对核心电路之间在基波频率处的频率锁定。 2.根据权利要求1所述基于片上微凸天线的可扩展硅基太赫兹辐射源，其特征在于，每个交叉耦合对中，其两个晶体管的漏端产生差分的N次谐波信号，根据相位连接相邻交叉耦合对，形成四路相连且相位为0°的N次谐波信号与四路相连且相位为180°的N次谐波信号，然后分别利用四路相连且相位为0°/180°的N次谐波信号合成的一对差分信号驱动差分结构的片上微凸天线，由所述片上微凸天线辐射高功率的N次谐波信号，即频率为Nf 0 的辐射信号。 3.根据权利要求1所述基于片上微凸天线的可扩展硅基太赫兹辐射源，其特征在于，四个所述交叉耦合对的结构相同，所述片上微凸天线辐射高功率的N次谐波信号，N表示提取谐波阶数，决定于片上微凸天线所构成的输出匹配网络的阻抗参数。 4.根据权利要求1所述基于片上微凸天线的可扩展硅基太赫兹辐射源，其特征在于，通过优化第一耦合系数和第二耦合系数使N次谐波信号功率取得最大值。