氮化镓基增强型功率器件及其制备方法

本申请提出一种氮化镓基增强型功率器件及其制备方法，该氮化镓基增强型功率器件可以包括衬底；异质结构，异质结构包括在衬底上沿远离衬底的方向依次形成的氮化镓缓冲层、Al(In，Ga)N势垒层及(In)GaN欧姆接触层；Al(In，Ga)N势垒层的材质为Ⅲ族合金氮化物，(In)GaN欧姆接触层包括氮化镓基材和n型掺杂剂；电极层，电极层形成于异质结构远离衬底的一侧，包括源极、漏极、栅极以及栅极和异质结构之间的栅介质层。该氮化镓基增强型功率器件具有较高的电流导通能力，适用于制备氮化物基低压功率和射频器件及其之间的集成。