1.一种半导体激光芯片的腔面钝化方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1、将半导体激光芯片转移至前腔面钝化腔中，在半导体激光芯片的前腔面上生长前腔面钝化膜；所述前腔面钝化膜材料为氮氧化铪；步骤2、对前腔面钝化膜进行高温退火；退火温度为T 1 ，350℃<T 1 <400℃，退火总时间为t 1 ，包括：步骤2.1，对前腔面钝化膜加热到温度为（1/2）T 1 ，对前腔面钝化膜进行预热，预热时间为（1/2）t 1 ；步骤2.2，对前腔面钝化膜继续加热升温到温度为T 1 ，加热时间为（1/2）t 1 ；步骤3、将半导体激光芯片转移至后腔面钝化腔中，在半导体激光芯片的后腔面上生长后腔面钝化膜；所述后腔面钝化膜为氧化铝；步骤4、对后腔面钝化膜进行低温退火；退火温度为T 2 ，退火总时间为t 2 ，与前腔面钝化膜的退火温度T 1 和退火总时间t 1 相比，T 1 >T 2 ，t 1 <t 2 ；步骤5、将半导体激光芯片转移至镀膜设备，在半导体激光芯片的前腔面钝化膜表面生长氮化硅光学薄膜，在半导体激光芯片的后腔面钝化膜表面生长多层氧化硅/氮化硅薄膜组合；步骤6、对半导体激光芯片再次进行退火。
2.一种如权利要求1所述的半导体激光芯片的腔面钝化方法，其特征在于，前述半导体激光芯片为巴条，在步骤1以前，还包括以下步骤：首先将激光巴排转移至进样腔中，对所述激光巴排进行低温处理；其次，在真空解理腔中，将激光巴排解理为巴条，制备出巴条的解理面。
3.一种如权利要求1所述的半导体激光芯片的腔面钝化方法，其特征在于，步骤1中，前腔面钝化腔的真空度小于5.0×10 -10 Torr，通过离子源辅助电子束沉积的方式生长氮氧化铪前腔面钝化膜，前腔面钝化腔包括氮离子源和氧离子源双离子源，首先对氮离子源进行起辉，其次对氧离子源进行起辉，最后逐步增加电子束电流使金属铪蒸发，在半导体激光芯片的前腔面形成氮氧化铪钝化膜。
4.一种如权利要求3所述的半导体激光芯片的腔面钝化方法，其特征在于，步骤1中，电子束蒸发速率为0.1A/S-0.2A/S。
5.一种如权利要求3所述的半导体激光芯片的腔面钝化方法，其特征在于，前腔面钝化腔包括分别用于氮气和氧气的气体流量计，所述步骤1中，通过调控氮离子源和氧离子源的流量大小，以控制氮氧化铪的折射率在2.0附近。
6.一种如权利要求1所述的半导体激光芯片的腔面钝化方法，其特征在于，所述前腔面钝化膜的厚度为10nm-15nm。
7.一种如权利要求1所述的半导体激光芯片的腔面钝化方法，其特征在于，所述步骤3中，后腔面钝化腔中的真空度小于5.0×10 -8 Torr，后腔面钝化腔中包括氧离子源，首先对氧离子源进行起辉，其次增加电子束电流使金属铝蒸发。
8.一种如权利要求7所述的半导体激光芯片的腔面钝化方法，其特征在于，所述步骤3中，电子束蒸发速率为0.6A/S-0.8A/S。
9.一种如权利要求1所述的半导体激光芯片的腔面钝化方法，其特征在于，所述步骤3中，后腔面钝化膜的厚度为2nm-5nm。
