基于特征频率调控的DBD排胶工艺优化方法及系统

1.一种基于特征频率调控的DBD排胶工艺优化方法，其特征在于，包括：采用频谱分析技术测定陶瓷生坯在不同状态下的介质损耗特征频率，得到陶瓷生坯的介质损耗特征频率范围；根据所述介质损耗特征频率范围调整DBD处理的放电参数，其中，所述放电参数包括外加电源频率、电压以及气隙宽度，所述调整DBD处理的放电参数包括：调节外加电压至气隙场强为一预定值以及调整外加电源频率至陶瓷生坯特征频率；采用非侵入式方法测量气隙场强，通过反馈控制调节外加电压，使所述气隙场强的最大值变化范围在预设范围内，以及随着温度升高，在保证放电强度的同时降低外加电源频率。 2.根据权利要求1所述的一种基于特征频率调控的DBD排胶工艺优化方法，其特征在于，测定陶瓷生坯在不同状态下的介质损耗特征频率所在频段包括低中高频段和或微波频段。 3.根据权利要求1所述的一种基于特征频率调控的DBD排胶工艺优化方法，其特征在于，所述方法还包括：通过对比处理前后的生坯，评估排胶效果和均匀性，以及处理过程中的能耗，确定优化策略的经济效益。 4.根据权利要求3所述的一种基于特征频率调控的DBD排胶工艺优化方法，其特征在于，评估排胶效果包括对处理前后的生坯的重量变化、微观结构变化和有机物含量的变化进行定量分析。 5.一种基于特征频率调控的DBD排胶工艺优化系统，其特征在于，包括：频谱分析设备，用于采用频谱分析技术测定陶瓷生坯在不同状态下的介质损耗特征频率，得到陶瓷生坯的介质损耗特征频率范围；DBD处理装置，用于根据所述介质损耗特征频率范围调整DBD处理的放电参数，其中，所述放电参数包括外加电源频率、电压以及气隙宽度，所述调整DBD处理的放电参数包括：调节外加电压至气隙场强为一预定值以及调整外加电源频率至陶瓷生坯特征频率；实时监控系统，用于采用非侵入式方法测量气隙场强，通过反馈控制调节外加电压，使所述气隙场强的最大值变化范围在预设范围内，以及随着温度升高，在保证放电强度的同时降低外加电源频率。