1.一种制备具有阻挡层的高分辨全彩量子点发光二极管的方法，其特征在于：其全彩发光层通过以下方法进行制备：首先通过热纳米压印聚合物形成条形沟槽，将不发光的材料通过溶液法沉积到聚合物沟槽中形成条纹；然后通过溶液法沉积第一量子点至所述条纹之间的空隙中，接着将成型后的量子点纵向转印到基板上，之后将基板浸入热溶剂中将聚合物洗去，以留下被不发光条纹裹夹的第一量子点条纹；再用同样的方法横向转印制备第二量子点条纹；最后将第三量子点通过溶液法沉积到第一、第二量子点的交叉条纹的空白位置中，形成被不发光条纹阻隔的全彩量子点阵列；制备过程包括以下步骤：1）对基板进行表面清洗和处理，确保表面光滑；2）在基板上旋涂空穴注入层，并进行退火处理；3）利用旋涂技术将空穴传输层材料沉积在空穴注入层上，生成有机半导体薄膜；4）通过热纳米压印制备聚合物沟槽；5）将不发光材料通过自组装的方法在聚合物薄膜上形成条纹；6）将第一量子点利用转印的方法转印到基板上形成第一颜色竖线条；7）将第二量子点利用转印的方法转印到基板上形成第二颜色横线条；8）将第三量子点通过溶液法沉积到基板上，形成三种颜色规则排列的全彩发光层；9）旋涂电子传输层，并进行退火处理；10）蒸镀银电极；11）封装器件。
2.根据权利要求1所述的一种制备具有阻挡层的高分辨全彩量子点发光二极管的方法，其特征在于：按照基板-空穴注入层-空穴传输层-全彩发光层-电子传输层-金属电极的结构制备获得全彩量子点发光二极管。
3.根据权利要求1所述的一种制备具有阻挡层的高分辨全彩量子点发光二极管的方法，其特征在于：在转印过程中，不发光材料在聚合物沟槽形成条纹通过毛细效应驱动自组装形成，每条沟槽的两边内壁旁各有一条，再将发光量子点通过溶液法沉积进不发光条纹之间的空隙后转印到基板上。
4.根据权利要求1所述的一种制备具有阻挡层的高分辨全彩量子点发光二极管的方法，其特征在于：所述第一量子点、第二量子点和第三量子点分别对应三基色。
5.根据权利要求1所述的一种制备具有阻挡层的高分辨全彩量子点发光二极管的方法，其特征在于：步骤4）的具体方法为：先将聚合物溶于溶剂中，然后通过溶液法沉积到平滑的PDMS表面形成薄膜，接着将纳米硅模板覆盖到聚合物薄膜表面，并施加一定压力，在温度高于聚合物玻璃化温度的加热台上进行压印，最后在将温度下至降低于玻璃化温度后将压力去除，并取下硅模板，得到具有沟槽微结构的聚合物薄膜。
6.根据权利要求1所述的一种制备具有阻挡层的高分辨全彩量子点发光二极管的方法，其特征在于：步骤5）的具体方法为：先将不发光材料溶于溶剂中，然后通过溶液法沉积进聚合物沟槽中，在毛细效应驱动下向沟槽两侧内壁流动并堆积，形成不发光条纹。
7.根据权利要求1所述的一种制备具有阻挡层的高分辨全彩量子点发光二极管的方法，其特征在于：步骤6）的具体方法为：先将第一量子点溶于溶剂中，然后通过溶液法沉积至聚合物沟槽中不发光条纹之间，接着将形成的膜纵向转印到基板上，最后将基板浸入溶剂中将聚合物洗去，形成纵向排列的第一量子点竖线条；步骤7）的具体方法为：先将第二量子点溶于溶剂中，然后通过溶液法沉积至聚合物沟槽中不发光条纹之间，接着将形成的膜横向转印到基板上，最后将基板浸入溶剂中将聚合物洗去，形成横向排列的第二量子点横线条；步骤8）的具体方法为：将第三量子点溶于有机溶剂中，通过溶液法沉积到基板上。
8.一种高分辨全彩量子点发光二极管，其特征在于：采用基板-空穴注入层-空穴传输层-全彩发光层-电子传输层-金属电极的结构，并通过如权利要求1-7其中任一所述的方法制备获得。
9.一种应用于高分辨全彩量子点发光二极管的全彩发光层结构，其特征在于：通过如权利要求1所述的方法制备获得。
