庞磁阻传感器及其制备方法、电流传感器

1.一种庞磁阻传感器，其特征在于，所述庞磁阻传感器包括：衬底；形成于所述衬底之上的蛇形锰氧化物薄膜，所述锰氧化物薄膜包括具有钙钛矿结构，且具有庞磁阻效应的锰氧化物；所述锰氧化物薄膜为单晶锰氧化物薄膜；所述锰氧化物薄膜包括镧镨钙锰氧、镧锶锰氧、钕锶锰氧和镧钡锰氧中的至少一种；形成于所述衬底之上的两个电极，所述两个电极分别与所述蛇形锰氧化物薄膜的两端连接，以将待测导线的电流激发的外加磁场的磁场强度转化为电压信号进行输出。 2.根据权利要求1所述的庞磁阻传感器，其特征在于，所述衬底包括单晶锶钛氧衬底、镧铝氧衬底和单晶氧化铝衬底中的至少一种，和/或，所述电极包括钽和铜。 3.根据权利要求2所述的庞磁阻传感器，其特征在于，所述单晶锶钛氧衬底的取向为（100），所述镧铝氧衬底取向为（100），所述单晶氧化铝衬底的取向为（0001）。 4.一种电流传感器，其特征在于，包括如权利要求1-3任一项所述的庞磁阻传感器、同轴线和后端处理电路；所述同轴线垂直于所述庞磁阻传感器的表面与所述庞磁阻传感器焊接；所述后端处理电路与所述同轴线连接，以经所述同轴线接收所述庞磁阻传感器输出的电信号，并将所述电信号转化为满足测量需求的电信号。 5.根据权利要求4所述的电流传感器，其特征在于，所述同轴线包括：中心导体，所述中心导体的一端与所述衬底上的一输出连接点连接，所述中心导体的另一端与所述后端处理电路连接；绝缘介质层，覆盖在所述中心导体的外周；屏蔽层，覆盖在所述绝缘介质层的外周，且所述屏蔽层与所述衬底上的另一输出连接点连接，以屏蔽高频噪声；防护层，覆盖所述屏蔽层的外周。 6.根据权利要求4所述的电流传感器，其特征在于，还包括：功能保护层，覆盖在所述蛇形锰氧化物薄膜和所述电极所在区域。 7.根据权利要求4所述的电流传感器，其特征在于，所述后端处理电路包括信号滤波放大电路，所述信号滤波放大电路的输入端与所述同轴线连接，所述信号滤波放大电路用于将所述庞磁阻传感器输出的电信号进行滤波放大后经输出端进行输出。 8.一种权利要求1-3中任一项所述的庞磁阻传感器的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：获取衬底；在沉积腔的真空环境下，采用脉冲激光沉积工艺在所述衬底上进行锰氧化物薄膜的沉积；采用无掩膜光刻和氩气等离子体刻蚀的方式将所述锰氧化物薄膜制成蛇形图案；利用无掩膜光刻和剥离方式，在已形成的锰氧化物薄膜的两端形成电极区域，并采用磁控溅射方式在所述电极区域进行电极生长。 9.根据权利要求8所述的庞磁阻传感器的制备方法，其特征在于，所述采用脉冲激光沉积工艺在所述衬底上进行锰氧化物薄膜的沉积，之前还包括：依次利用丙酮、酒精和去离子水分别对所述衬底超声清洗第一时长；用氮气吹干所述衬底表面残留的液体，并在烘箱内第一温度下烘干第二时长。 10.根据权利要求9所述的庞磁阻传感器的制备方法，其特征在于，所述方法还包括步骤：依次打开机械泵、电磁阀和旁抽阀，直至沉积腔的腔体真空度抽至预设真空值以下的情况下关闭旁抽阀；打开分子泵和闸板阀，直至将腔体真空度抽至预设值。