一种基于碳化硅上硅衬底的紫外光电探测器及其制备方法

本发明属于半导体器件技术领域，具体为基于碳化硅上硅衬底的紫外光电探测器及其制备方法。本发明紫外光电探测器由基于碳化硅上硅衬底的场效应晶体管与碳化硅衬底上MSM探测器组合构成，晶体管与MSM探测器结构位置呈横向水平分布；探测器的一端金属电极与晶体管栅极连通；MSM器件用于光探测，主要对紫外波段光吸收响应，当紫外波段光照射到碳化硅层时，光子的能量被碳化硅吸收，产生电子‑空穴对；加在电极两端电压构成的电场促使载流子分离，产生的电信号通过晶体管构成高增益输出。探测过程使晶体管阈值电压下降，沟道区电导增加，导致漏极电流的显著提升。本发明可满足高量子效率、高灵敏度、高响应度以及低工作电压的探测需求。