1.一种大马士革结构的制造方法，其特征在于，包括：步骤一，在半导体衬底上的金属导电层表面形成低K介电层；步骤二，采用等离子体刻蚀法对低K介电层进行刻蚀，形成与金属导电层表面连通的通孔或沟槽；步骤三，利用含有臭氧的清洗液对具有通孔或沟槽的半导体衬底进行清洗，含有臭氧的清洗液与低K介电层的材料发生反应生成一层氧化物，以修复刻蚀过程中等离子体轰击对低K介电层表面的损伤；步骤四，在退火设备中对清洗后在通孔或沟槽内残余的臭氧进行还原处理，同时加强修复低K介电层的损伤；步骤五，利用氢氟酸溶液对具有通孔或沟槽的半导体衬底进行再次清洗，以去除还原处理后的副产物；步骤六，在所述通孔或沟槽内形成阻挡层后填充导电金属。
2.根据权利要求1所述的大马士革结构的制造方法，其特征在于，所述利用含有臭氧的清洗液对具有通孔或沟槽的半导体衬底进行清洗，包括：采用臭氧溶液与碱性溶液的混合液作为清洗液，对具有通孔或沟槽的半导体衬底进行清洗。
3.根据权利要求2所述的大马士革结构的制造方法，其特征在于，所述臭氧溶液中臭氧的质量百分比浓度范围为50ppm~500ppm；所述臭氧溶液与碱性溶液的混合体积比例范围为1：3~1：0.5。
4.根据权利要求1所述的大马士革结构的制造方法，其特征在于，所述利用含有臭氧的清洗液对具有通孔或沟槽的半导体衬底进行清洗，包括：采用碱性溶液中直接混入臭氧形成的混合液作为清洗液，对具有通孔或沟槽的半导体衬底进行清洗。
5.根据权利要求4所述的大马士革结构的制造方法，其特征在于，所述混合液中臭氧的质量百分比浓度范围为15ppm~500ppm。
6.根据权利要求1所述的大马士革结构的制造方法，其特征在于，所述在退火设备中对清洗后在通孔或沟槽内残余的臭氧进行还原处理，包括：在退火设备中通入含有氮气与氢气的混合气体，利用该混合气体对残余的臭氧进行还原处理。
7.根据权利要求1所述的大马士革结构的制造方法，其特征在于，所述对低K介电层进行刻蚀，形成与金属导电层表面连通的通孔或沟槽，包括：在低K介电层表面形成第一掩膜层，第一掩膜层暴露出低K介电层的部分表面；以第一掩膜层为掩膜对低K介电层进行第一次刻蚀，直至暴露出金属导电层表面，形成通孔；去除第一掩膜层，在低K介电层表面形成第二掩膜层，第二掩膜层暴露出与通孔相邻的部分低K介电层的表面；以第二掩膜层为掩膜对低K介电层进行第二次刻蚀，形成与通孔连通的沟槽。
8.根据权利要求1所述的大马士革结构的制造方法，其特征在于，所述对低K介电层进行刻蚀，形成与金属导电层表面连通的通孔或沟槽，包括：在低K介电层表面形成第一掩膜层，第一掩膜层暴露出低K介电层的部分表面；以第一掩膜层为掩膜对低K介电层进行第一次刻蚀，形成沟槽；在沟槽内形成第二掩膜层，第二掩膜层暴露出沟槽的部分底面；以第二掩膜层为掩膜对低K介电层进行第二次刻蚀，直至暴露出金属导电层表面，形成通孔。
9.根据权利要求1所述的大马士革结构的制造方法，其特征在于，所述低K介电层的材料为掺杂碳的氧化硅。
10.一种大马士革结构，其特征在于，包括：形成于半导体衬底上的金属导电层、低K介电层以及位于低K介电层的金属镶嵌部，所述金属镶嵌部为填充导电金属的通孔或沟槽；所述金属镶嵌部的形成方式为：采用等离子体刻蚀法对低K介电层进行刻蚀，形成与金属导电层表面连通的通孔或沟槽；利用含有臭氧的清洗液对具有通孔或沟槽的半导体衬底进行清洗，含有臭氧的清洗液与低K介电层表面材料发生反应生成一层氧化物，以修复刻蚀过程中等离子体轰击对低K介电层的损伤；在退火设备中对清洗后在通孔或沟槽内残余的臭氧进行还原处理，同时加强修复低K介电层的损伤；利用氢氟酸溶液对具有通孔或沟槽的半导体衬底进行再次清洗，以去除还原处理后的副产物；在所述通孔或沟槽内形成阻挡层后填充导电金属。
11.根据权利要求10所述的大马士革结构，其特征在于，所述利用含有臭氧的清洗液对具有通孔或沟槽的半导体衬底进行清洗，包括：采用碱性溶液与臭氧溶液的混合液作为清洗液，对具有通孔或沟槽的半导体衬底进行清洗。
12.根据权利要求10所述的大马士革结构，其特征在于，所述利用含有臭氧的清洗液对具有通孔或沟槽的半导体衬底进行清洗，包括：采用碱性溶液中直接混入臭氧形成的混合液作为清洗液，对具有通孔或沟槽的半导体衬底进行清洗。
13.根据权利要求10所述的大马士革结构，其特征在于，所述在退火设备中对清洗后在通孔或沟槽内残余的臭氧进行还原处理，包括：在退火设备中通入含有氮气与氢气的混合气体，利用该混合气体对残余的臭氧进行还原处理。
14.一种芯片，其特征在于，所述芯片包括权利要求10-13任一项所述的大马士革结构。
