无电阻全CMOS亚阈值电压基准电路及工作方法

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摘要
无电阻全CMOS亚阈值电压基准电路及工作方法,利用无电阻电流源电路生成参考电流,将参考电流镜像到电压基准中通过亚阈值晶体管生成参考电压,无电阻电流源电路中电流产生源晶体管均工作在亚阈值区,在生成的参考电流中引入NMOS晶体管的阈值电压,在电压基准电路中使用的亚阈值晶体管为PMOS,使其通过电流之后,在参考电压的表达式中得到正负阈值电压相减即‑的形式,从而得到取值较小的负温度系数。利用反馈电路构成High PSRR偏置以提高基准电路的电源抑制比,相比于使用运放更加节省功耗与面积。利用启动电路消除电路简并点,使电路上电时脱离兼并零状态。
申请人
中科亿海微电子科技(苏州)有限公司
第一发明人
孟令硕
著录信息
20240523
20240621
申请日
首次公开日
授权(公告日)
维持时间:年
预估到期:
申请号
202410642170
申请日
20240523
公开(公告)号
CN118226918A@FMGK20240621
当前申请(专利权)人
中科亿海微电子科技(苏州)有限公司
公开(公告)日
20240621
原始申请(专利权)人
中科亿海微电子科技(苏州)有限公司
原始申请(专利权)人地址
215127 江苏省苏州市吴中区甪直镇长虹北路169号吴淞江商务区A幢2层
发明(设计)人
孟令硕、黄志洪、蔡刚、魏育成
代理人
冯梦洪
代理机构
北京市中闻律师事务所
IPC分类号
G05F1/567