1.一种双载流子LDMOS器件，其特征在于，包括：衬底、埋氧化层、N型漂移区、栅氧化层、正栅极、P型源区、P型漏区、P型体区、N型源区、N型漏区以及背栅极；所述埋氧化层形成于衬底的上表面，所述N型漂移区形成于埋氧化层的表面，所述背栅极形成于衬底的下表面；所述P型源区的底部与N型漂移区及埋氧化层相接，所述P型漏区的底部与N型漂移区及埋氧化层相接，所述N型源区与P型体区相接，所述N型漏区与N型漂移区相接；所述P型源区的上部与N型源区相接，所述P型漏区的上部与N型漏区相接；所述P型体区包括横向区及纵向区，所述P型体区的横向区与P型源区相接，所述P型体区的纵向区与栅氧化层相接；所述P型源区、P型漏区、N型漂移区及背栅极组成PLDMOS结构，使N型漂移区的底部形成P型沟道；所述N型源区、N型漏区、N型漂移区、P型体区及正栅极组成NLDMOS结构，使P型体区的表面形成N型沟道。
2.根据权利要求1所述的双载流子LDMOS器件，其特征在于，所述P型体区的横向区与所述埋氧化层之间的N型漂移区的厚度为100~300nm。
3.根据权利要求1所述的双载流子LDMOS器件，其特征在于，所述衬底为绝缘层上硅衬底，所述绝缘层上硅衬底包括绝缘层、埋氧化层以及顶层硅，所述绝缘层上硅衬底的埋氧化层作为所述双载流子LDMOS器件的埋氧化层。
4.根据权利要求1所述的双载流子LDMOS器件，其特征在于，所述P型沟道的载流子为空穴，通过改变背栅极的电压控制空穴沟道的载流子数量；所述N型沟道的载流子为电子，通过改变正栅极的电压控制电子沟道的载流子数量。
5.根据权利要求1所述的双载流子LDMOS器件，其特征在于，所述P型源区和P型漏区为P型重掺杂区域，掺杂浓度大于1×10 18 cm -3 ；所述N型源区和N型漏区为N型重掺杂区域，掺杂浓度大于1×10 18 cm -3 ；所述P型体区为P型轻掺杂区域，掺杂浓度小于1×10 16 cm -3 ；所述N型漂移区为N型轻掺杂区域，掺杂浓度小于1×10 16 cm -3 。
6.一种双载流子LDMOS器件的制造方法，其特征在于，包括：在具有埋氧化层的衬底的上表面形成N型轻掺杂区；在N型轻掺杂区进行离子注入，形成P型源区、P型漏区、P型体区、N型源区、N型漏区及N型漂移区；其中，P型源区的底部与N型漂移区及埋氧化层相接，P型漏区的底部与N型漂移区及埋氧化层相接，N型源区与P型体区相接，N型漏区与N型漂移区相接，P型源区的上部与N型源区相接，P型漏区的上部与N型漏区相接，P型体区包括横向区及纵向区，P型体区的横向区与P型源区相接；在N型漂移区和P型体区的上方形成栅氧化层和正栅极，P型体区的纵向区与栅氧化层相接，N型源区、N型漏区、N型漂移区、P型体区及正栅极组成NLDMOS结构；在衬底的下表面形成背栅极，P型源区、P型漏区、N型漂移区及背栅极组成PLDMOS结构。
7.根据权利要求6所述的双载流子LDMOS器件的制造方法，其特征在于，所述在具有埋氧化层的衬底的上表面形成N型轻掺杂区，包括：采用绝缘层上硅衬底，对绝缘层上硅衬底的顶层硅进行掺杂，形成N型轻掺杂区。
8.根据权利要求6所述的双载流子LDMOS器件的制造方法，其特征在于，所述在N型轻掺杂区进行离子注入，形成P型源区、P型漏区、P型体区、N型源区、N型漏区及N型漂移区，包括：在N型轻掺杂区的第一预定区域进行P型离子注入，形成P型源区、P型漏区及P型体区；在N型轻掺杂区的第二预定区域进行N型离子注入，形成N型源区及N型漏区，剩余的N型轻掺杂区作为N型漂移区。
