1.一种双栅双沟道LDMOS器件，其特征在于，包括：衬底，形成于衬底上的掩埋层、漂移区、体区、源区和漏区，以及位于体区上表面的栅氧化层和第一栅极；所述体区与源区及漂移区相接，所述漂移区与源区及漏区相接，所述掩埋层位于漂移区的底部，所述掩埋层与器件本体外的第二栅极相连；所述体区与栅氧化层及第一栅极组成MOSFET结构，使得体区表面形成第一沟道；所述体区与漂移区、掩埋层及第二栅极组成JFET结构，使得漂移区表面形成第二沟道。
2.根据权利要求1所述的双栅双沟道LDMOS器件，其特征在于，所述掩埋层设有通孔，所述掩埋层通过所述通孔引出的连接金属与第二栅极相连。
3.根据权利要求2所述的双栅双沟道LDMOS器件，其特征在于，所述通孔形成于所述掩埋层的底部或侧面，所述连接金属的材料为导电金属材料。
4.根据权利要求1所述的双栅双沟道LDMOS器件，其特征在于，所述源区通过接触端与掩埋层相连，构成体二极管结构。
5.根据权利要求1所述的双栅双沟道LDMOS器件，其特征在于，所述第二栅极的偏置电压是可调节的，通过调节该偏置电压改变所述第二沟道的耗尽层宽度。
6.根据权利要求5所述的双栅双沟道LDMOS器件，其特征在于，在器件导通的工作状态时，所述第二栅极的偏置电压范围为0V至0.4V。
7.根据权利要求1所述的双栅双沟道LDMOS器件，其特征在于，所述漂移区延伸至体区的下方与掩埋层的顶面相接，所述掩埋层与体区之间的漂移区的深度为100 nm至300 nm。
8.根据权利要求1所述的双栅双沟道LDMOS器件，其特征在于，所述衬底为轻掺杂P型半导体衬底，所述体区为P型体区，所述漂移区为N型漂移区。
9.根据权利要求8所述的双栅双沟道LDMOS器件，其特征在于，所述掩埋层为P型重掺杂区域，掺杂浓度大于1×10 18 cm -3 ；所述P型体区为P型轻掺杂区域，掺杂浓度小于1×10 16 cm -3 ；所述N型漂移区为N型轻掺杂区域，掺杂浓度小于1×10 16 cm -3 。
10.一种双栅双沟道LDMOS器件的制造方法，其特征在于，包括：在衬底上形成外延层，在外延层的表面形成栅氧化层；在外延层的底部形成掩埋层，在外延层中形成与栅氧化层相接的体区；在外延层的表面形成漏区以及与体区相接的源区，外延层中除掩埋层、体区、源区和漏区以外的区域作为漂移区；在栅氧化层的表面形成第一栅极，第一栅极与栅氧化层和体区组成MOSFET结构；在掩埋层形成通孔，通过通孔引出连接金属，通过连接金属连接到器件本体外的第二栅极，第二栅极与掩埋层、体区和漂移区组成JFET结构。
