一种光电器件结构和光电器件漏电测试方法

本发明公开一种光电器件结构和光电器件漏电测试方法，涉及半导体光电技术领域，以解决现有技术中半导体光电器件漏电的解决效率低的问题。光电器衬底，所述衬底包括衬底正面和衬底背面；形成于所述衬底正面的有源区；形成于所述衬底背面的中心区域；以及设置于所述有源区周围的至少一个第一保护环；所述第一保护环的掺杂类型与所述有源区的掺杂类型相同或者相反；光电器件漏电测试方法包括，获取光电器件结构的基础数据；所述基础数据至少包括所述光电器件结构的结构类型信息；基于所述基础数据对所述光电器件结构进行分类，得到不同类型的光电器件；对不同类型的光电器件进行测试，得到不同类型的光电器件在预设电压范围内的漏电流数据。