一种功率半导体芯片压接封装结构及制作方法

本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种功率半导体芯片压接封装结构及制作方法，压接封装结构包括集电极电极和发射极电极，集电极电极包括位于表层的软质层区一；发射极电极包括位于表层的软质层区二，发射极电极与集电极电极之间设置有多个芯片子单元，多个芯片子单元形成并联关系，芯片子单元的集电极和发射极分别与软质层区一和软质层区二贴合并导电连接，在压接的过程中，软质层区一和软质层区二的表面会蠕动变形，以填补芯片子单元的两极因为加工误差存在的不平整面，使半导体器件内部压力分布和电流分布更加均匀，也提高了内部的导电性和散热性，进而功率半导体模块的运行可靠性得到提升。